Circuits intégrés photoniques SiGe pour des applications capteurs dans l'infrarouge moyen
Auteur / Autrice : | Natnicha Koompai |
Direction : | Delphine Marris-Morini, Adel Bousseksou |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Electronique, Photonique et Micro-Nanotechnologies |
Date : | Soutenance le 15/03/2024 |
Etablissement(s) : | université Paris-Saclay |
Ecole(s) doctorale(s) : | École doctorale Electrical, optical, bio : physics and engineering (Orsay, Essonne ; 2015-....) |
Partenaire(s) de recherche : | Laboratoire : Centre de nanosciences et de nanotechnologies (Palaiseau, Essonne ; 2016-....) |
référent : Faculté des sciences d'Orsay | |
graduate school : Université Paris-Saclay. Graduate School Sciences de l'ingénierie et des systèmes (2020-....) | |
Jury : | Président / Présidente : Jean-Emmanuel Broquin |
Examinateurs / Examinatrices : Christophe Couteau, Joël Charrier, Jean Baptiste Rodriguez | |
Rapporteurs / Rapporteuses : Christophe Couteau, Joël Charrier |
Mots clés
Mots clés contrôlés
Résumé
Le développement de circuits intégrés photoniques fonctionnant dans le moyen infrarouge voit un développement considérable en raison de leurs applications pour l'identification de substances chimiques et biologiques. Les systèmes actuels commerciaux fonctionnant dans le moyen infrarouge reposent sur des équipements volumineux et coûteux. Beaucoup de travaux sont consacrés à la réduction de la taille de ces systèmes à des dimensions de l'ordre de celles d'un circuit intégré. L'utilisation de la photonique sur silicium pour la réalisation de circuits intégrés dans le moyen infrarouge offre de grands avantages en termes de compacité, de hautes performances et de coût. Un point clé pour le développement d'une application réelle est de pouvoir coupler la source de lumière infrarouge moyen avec les circuits photoniques de manière compacte. Dans ce contexte, l'objectif principal de cette thèse s'est concentré sur deux défis différents : (i) progrès vers l'intégration de QCL avec des circuits photoniques SiGe (ii) contribution au développement de dispositifs photoniques SiGe par le développement de résonateurs à fort facteur de qualité, fonctionnant autour d'une longueur d'onde de 8 µm. Ces travaux ont ouvert la voie au développement futur de circuits photoniques intégrés sur puce dans le moyen infrarouge.