Thèse soutenue

Caractérisation des dépôts électrolytiques de cuivre sans additifs organiques, effectués en milieu acide sulfurique, sous courant continu ou pulsé : compréhension des phénomènes cathodiques et anodiques

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Auteur / Autrice : Jean Dematos
Direction : Jean-Yves HihnMarie-Pierre Gigandet
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Chimie
Date : Soutenance le 19/12/2024
Etablissement(s) : Bourgogne Franche-Comté
Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale Carnot-Pasteur (Besançon ; Dijon ; 2012-....)
Partenaire(s) de recherche : établissement de préparation : Université de Franche-Comté (1971-2024)
Laboratoire : Institut UTINAM (Univers, transport, interfaces, nanostructures, atmosphère et environnement, molécules) (Besançon) - Univers- Théorie- Interfaces- Nanostructures- Atmosphère et environnement- Molécules (UMR 6213) / UTINAM
Jury : Président / Présidente : Cécile Langlade
Examinateurs / Examinatrices : Vincent Vivier
Rapporteurs / Rapporteuses : Véronique Vitry, Eric Chainet

Mots clés

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Résumé

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L'utilisation d'additifs organiques est une pratique courante pour améliorer les propriétés des couches de cuivre élaborées à partir d'un bain électrolytique en milieu sulfate. En particulier, le pouvoir nivelant et la brillance peuvent être fortement améliorés. Mais cette pratique n'est pas sans inconvénients, avec des coûts élevés, des risques de rupture d'approvisionnement et des risques pour la santé pour et l’environnement. De plus, la gestion des anodes solubles peut s’avérer délicate.Pour éviter les inconvénients mentionnés ci-dessus, ce travail propose de supprimer les additifs organiques d'un bain industriel électrolytique de dépôt de cuivre tout en garantissant la même macro-distribution des épaisseurs et le même comportement anodique. Les paramètres cinétiques du bain industriel sont très proches de ceux du bain sans additifs organiques : la constante de vitesse standard est de 5.44 〖10〗^(-6 ) cm/s, le coefficient de transfert cathodique est de 0,54 et le coefficient de diffusion est de 〖4.2 10〗^(-6) cm^2/s pour le bain industriel. Pour le bain de cuivrage sans additifs organiques, la constante de vitesse standard est de 〖4.3 10〗^(-6) cm/s, le coefficient de transfert cathodique est de 0,51 et le coefficient de diffusion est de 〖3.8 10〗^(-6) cm²/s. Le rendement de dépôt de cuivre s'est avéré plus élevé pour le bain de cuivre sans additifs organiques que celui du cuivrage en présence d'additifs organiques. Il s'agit d'un comportement très courant dû à l'adsorption des additifs organiques sur les sites actifs de l'électrode de travail, les rendements des dépôts de cuivre étant respectivement de 84 % et 66 %. Les résultats obtenus concernant l'action des ions chlorure montrent qu’ils interagissent avec les molécules organiques et permettent l'action de ces dernières sur le dépôt de cuivre. L'influence des ions chlorure est significative dans la gamme de 50 mg/L à 100 mg/L.Du côté anodique, la présence d'un film noir sur les anodes est essentielle pour assurer le bon fonctionnement du procédé de cuivrage. Le film anodique empêche la formation de boues et évite l'apparition de particules solides de cuivre, en piégeant les ions Cu+. La présence de phosphore comme élément d’alliage des anodes, à une concentration massique de 0,04% à 0,06%, ainsi que les ions chlorures dans l’électrolyte, sont indispensables à la formation du film anodique.Les différences entre les dépôts obtenus avec et sans additifs organiques sont de deux ordres : l'aspect et la rugosité des dépôts de cuivre. La rugosité (environ 2 fois plus élevée en retirant les additifs organiques), peut présenter un risque d'ordre mécanique lié au coefficient de frottement. La microstructure des dépôts de cuivre sans additifs organiques est de type colonnaire avec une orientation cristallographique préférentielle [220], alors qu'avec les additifs organiques la microstructure du cuivre est équiaxe avec une orientation cristallographique préférentielle [111]. La rugosité plus élevée des couches de cuivre obtenues sans additifs organiques semble être liée à l'orientation cristallographique [220].Le dépôt de cuivre par des courants pulsés simples a été proposé pour atténuer la rugosité des couches de cuivre. La vitesse de nucléation étant proportionnelle à la densité de courant, l'utilisation de courants simples ou inverses pulsés permet de réduire la porosité et de créer des dépôts à grains plus fins. Dans ce travail, seuls des courants pulsés simples ont été utilisés afin de ne pas endommager le film anodique. Il apparait que la microstructure et la rugosité des couches de cuivre peuvent être considérablement modifiées en agissant sur la valeur de la surtension de dépôt.