Modélisation des propriétés optoélectroniques de nanocristaux colloïdaux pour la conception d’imageurs infrarouges
Auteur / Autrice : | Bilal Chehaibou |
Direction : | Christophe Delerue, Peter Reiss |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Electronique, microélectronique, nanoélectronique et micro-ondes |
Date : | Soutenance le 17/10/2023 |
Etablissement(s) : | Université de Lille (2022-....) |
Ecole(s) doctorale(s) : | École doctorale Sciences de l’ingénierie et des systèmes (Lille ; 2021-....) |
Partenaire(s) de recherche : | Laboratoire : Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - Systèmes moléculaires et nanomatériaux pour l’énergie et la santé (Grenoble ; 2008-....) |
Entreprise : STMicroelectronics (Crolles, Isère, France) | |
Jury : | Président / Présidente : Hervé Rinnert |
Examinateurs / Examinatrices : Soline Boyer-Richard, Arthur Arnaud, Gabriel Mugny, Emmanuel Lhuillier | |
Rapporteurs / Rapporteuses : Hervé Rinnert, Mathieu Luisier |
Mots clés
Mots clés contrôlés
Mots clés libres
Résumé
Les couches semi-conductrices de nanocristaux (NCs) colloïdaux ont montré un grand potentiel en tant que matériau actif dans les capteurs infrarouge (IR), avec des promesses de réduction des coûts de fabrication et d'amélioration des propriétés optoélectroniques. Bien qu'il s'agisse d'une technologie relativement nouvelle, avec la première synthèse de NCs monodisperses réalisée il y a maintenant 30 ans, d'énormes progrès, notamment dans la synthèse, l'ingénierie de surface, les méthodes de dépôt, l'architecture des dispositifs électroniques et la compréhension fondamentale, ont conduit à une commercialisation. Cependant, pour atteindre le plein potentiel des capteurs IR à base de NCs, des améliorations sont encore nécessaires avec un accent particulier sur la compréhension et le contrôle des propriétés des matériaux et de leur dépendance à l'environnement.Dans ce contexte, nous visons à combiner des outils expérimentaux et théoriques pour étudier les propriétés optoélectriques de NCs isolés jusqu'à une couche de NCs intégrée dans un dispositif électronique. Dans le premier chapitre, nous avons réalisé différentes synthèses de NCs colloïdaux de PbS qui nous a permis d'étudier les propriétés physico-chimiques allant des propriétés optiques à la caractérisation de la surface. Dans le deuxième chapitre, nous avons étudié la structure électronique de NCs de PbS et de HgTe isolés en utilisant des outils théoriques tels que ETBM (pour "Empirical Tight-Binding"), DFT (pour "Density Functional Theory") et EPM (pour "Empirical Pseudopotential Method"). Nous avons étudié l'effet de la taille et de la forme des NCs sur la structure électronique et révélé une transition de phase topologique 0D dans les NCs de HgTe. Le troisième chapitre se concentre sur les propriétés optiques des NCs de PbS et de HgTe. En utilisant l'ETBM et l'EPM, nous avons relié la structure électronique aux caractéristiques essentielles d'un spectre d'absorption expérimental. Dans le quatrième chapitre, nous étendons les résultats précédents à une couche solide composée de NCs densément compactés. Cependant, les propriétés d'une couche solide sont différentes de celles d'un NC isolé, en raison de l'interaction avec l'environnement, en particulier avec les ligands. Par conséquent, en plus des calculs ETBM, nous incluons le modèle EMA (pour "Effective Medium Approximation") et, en synergie avec des mesures d'ellipsométrie spectroscopique, nous avons étudié l'effet de la chimie de surface, de la forme et de la taille sur les propriétés optiques d'une couche de NCs. A partir des connaissances accumulées dans les chapitres précédents, nous avons développé un modèle dans le cinquième chapitre qui nous a permis une comparaison systématique depuis les propriétés intrinsèque d'un NC à ses propriétés quand intégré dans une système éléctronique (une photodiode). Plus précisément, nous avons établi des abaques de propriétés optiques en fonction de paramètres qui peuvent être modifiés expérimentalement, tels que la longueur du ligand ou la taille du NC, pour divers matériaux semi-conducteurs (PbSe, InAs, InSb, InP et CdSe). Le dernier chapitre concerne le contrôle spécifique du travail de sortie avec les ligands. Nous avons commencé à développer un modèle qui, à termes, vise à faciliter l'ingénierie de l'alignement des bandes, améliorant ainsi les performances du dispositif.Ce travail est une collaboration entre les instituts de recherche (IEMN - Lille et CEA - Grenoble) et l'industrie (STMicroelectronics - Crolles). Nous remercions également les nombreuses collaborations avec le groupe d'Emmanuel Lhuillier à l'INSP.