Thèse soutenue

Fabrication et caractérisation de transistors HEMT et de diodes à base de GaN pour la conversion de tension DC-DC en électronique de puissance

FR  |  
EN
Auteur / Autrice : Quentin Fornasiero
Direction : Jean-Claude De JaegerNadir Idir
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Electronique, microélectronique, nanoélectronique et micro-ondes
Date : Soutenance le 14/12/2022
Etablissement(s) : Université de Lille (2022-....)
Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale Sciences de l’ingénierie et des systèmes (Lille ; 2021-....)
Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie
Jury : Président / Présidente : Dominique Planson
Examinateurs / Examinatrices : Nicolas Defrance, Erwan Morvan
Rapporteurs / Rapporteuses : Nathalie Malbert, Jean-Christophe Nallatamby

Mots clés

FR  |  
EN

Résumé

FR  |  
EN

Ce travail de thèse s'inscrit dans une problématique constante d'intégrabilité des systèmes électroniques à fortes densités de puissance et à haut rendement pour l'électronique de puissance dans les secteurs civil, industriel et militaire: transports individuels et urbains, aéronautique et spatiale, high-tech. En cela, le Nitrure de Gallium (GaN) est un matériau couvrant une large étendue d'applications. C'est un candidat idéal pour le remplacement de la filière Silicium dont les limites sont aujourd'hui atteintes. Sa robustesse en milieu hostile - face à des températures extrêmes de plus de 200 °C, ou sous fort niveau de radiation - et ses propriétés de conduction électrique et thermique exceptionnelles en font un matériau de premier choix pour une nouvelle génération de composants pour l'électronique de puissance. Aujourd'hui, le principal verrou technologique s'opposant à son essor sur le marché est induit par des mécanismes complexes de piégeages des porteurs de charges électriques, limitant les performances en commutation à haute tension. de tels dispositifs. Ainsi, les objectifs de cette thèse consistent en la réalisation conjointe de diodes et de transistors HEMT de puissance sur hétérojonction AlGaN/GaN, plus spécifiquement adapté aux systèmes de conversion de tensions DC-DC. Le développement d'un procédé de fabrication de technologies normally-off est au cœur de ce travail, notamment les procédés de traitement de surface AlGaN par plasma SF6 et de dépôt d'oxyde pour la réalisation de grille MOS. Enfin, la caractérisation électrique et physique des composants et des hétérostructures à base de GaN apport des informations essentielles à la compréhension des mécanismes de transport des charges électriques en vue de l'optimisation des procédés de développement technologique dédiés à l'électronique de puissance.