Thèse soutenue

Rôle de l'oxygène dans la fragilisation à hautes température de TiAl : Insertion, diffusion et interaction avec les dislocations

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Auteur / Autrice : Camille Thenot
Direction : Jean-Philippe MonchouxDamien Connétable
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Physique de la Matière
Date : Soutenance le 12/12/2022
Etablissement(s) : Toulouse 3
Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale Sciences de la Matière (Toulouse)
Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : Centre d'élaboration de matériaux et d'études structurales (Toulouse ; 1988-....)
Jury : Président / Présidente : Catherine Mabru
Examinateurs / Examinatrices : Daniel Monceau, Emmanuel Clouet, Marc Thomas
Rapporteurs / Rapporteuses : Hosni Idrissi, Sandrine Brochard

Résumé

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La fragilisation catastrophique de TiAl par exposition à hautes températures à l'air est un phénomène intriguant, qui constitue un défi pour le développement industriel de ces matériaux dans l'aéronautique ou l'automobile. En effet, après une exposition à des températures de l'ordre de 500 à 800°C, une chute dramatique de ductilité, accompagnée d'une augmentation de limite d'élasticité ont été observées. Les alliages TiAl présentant un très fort potentiel pour des applications à hautes températures (≈ 700°C) en raison de leur faible densité (≈ 4 g/cm3), cette fragilisation constitue un verrou technologique majeur à lever. Pour progresser dans la compréhension et la maîtrise de ce phénomène, nous avons couplé des caractérisations microstructurales par MET au CEMES, et des modélisations théoriques par DFT au CIRIMAT. Nous avons ainsi caractérisé finement la morphologie et la dynamique des dislocations dans TiAl en présence d'oxygène, à l'aide d'observations par MET posr-mortem et in-situ. Par ailleurs, les modélisations atomistiques ont permis de mieux comprendre les interactions entre l'oxygène et le réseau de TiAl, et d'identifier avec précision le rôle des défauts ponctuels, surfaciques et linéaires dans la solubilité de l'oxygène. En parallèle, une étude théorique et expérimentale de la diffusion de l'oxygène nous a permis d'obtenir, pour la première fois, une valeur de coefficient de diffusion dans la phase gamma de TiAl.