Thèse soutenue

Modélisation en Mode Différentiel et en Mode Commun des Transformateurs d’Impulsion pour les Applications Gate-Driver

FR  |  
EN
Auteur / Autrice : Loreine Makki
Direction : Christophe BatardNicolas GinotMarc-Anthony Mannah
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Génie électrique
Date : Soutenance le 27/06/2022
Etablissement(s) : Nantes Université
Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale Mathématiques et sciences et technologies de l'information et de la communication (Rennes)
Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : Institut d'Électronique et de Télécommunications (Rennes)
Jury : Président / Présidente : Jean-Charles Le Bunetel
Examinateurs / Examinatrices : Paul-Etienne Vidal, Denis Labrousse
Rapporteurs / Rapporteuses : Paul-Etienne Vidal, Denis Labrousse

Mots clés

FR  |  
EN

Mots clés contrôlés

Résumé

FR  |  
EN

L’accroissement de la vitesse de commutation des composants de puissance dits « grands gaps » tels que les MOSFETs à carbure de silicium (SiC) et leur capacité à fonctionner à une fréquence élevée ont amené de nouveaux défis à résoudre tels que les problèmes d'interférence électromagnétique (EMI). Les travaux de recherche présentés dans ce mémoire visent à améliorer le design des transformateurs d’impulsions intégrés dans les étages de commande rapprochée (nommé gatedriver). L’objectif visée était de limiter les capacités parasites de ces transformateurs qui sont à l’origine de courants de mode commun (CM). Une méthode permettant de concevoir et de simuler ces transformateurs d’impulsions avec différentes structures de blindage a été mise au point. Le transformateur est d’abord créé sous Altium Designer, tout en respectant la norme IPC-2221. Le design de ce transformateur est ensuite exporté vers ANSYS Q3D Extractor où un modèle électrique équivalent est extrait. En simulation, des impulsions d’amplitude 1,4 kV et présentant des dv/dt de 125 kV/μs ont été apppliquées entre le primaire et le secondaire des transformateur, ce qui a permis de comparer la susceptibilité du transformateur avec différentes structures de blindage. L'influence de la forme de l’écran, des variations de sa longueur, sa largeur et son épaisseur est étudié. En parallèle de la simulation, les transformateurs étudiés ont été fabriqués et soumis aux mêmes dv/dt qu’en simulation. La comparaison des résultats expérimentaux avec les simulations ont permis de valider les modèles.