Thèse soutenue

Simulation Atomistique pour procédés de gravure plasma avancés : application à la gravure ONO des produits mémoires Flash
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Auteur / Autrice : Florian Pinzan
Direction : Emilie Despiau-Pujo
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Nanoélectronique et nanotechnologie
Date : Soutenance le 21/05/2021
Etablissement(s) : Université Grenoble Alpes
Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)
Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : Laboratoire des technologies de la microélectronique (Grenoble)
Jury : Président / Présidente : Pascal Chabert
Examinateurs / Examinatrices : Khaled Hassouni
Rapporteurs / Rapporteuses : Thomas Tillocher, Christophe Cardinaud

Résumé

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Utilisée dans les étapes de fabrication des mémoires Flash, la gravure plasma de l’ONO, diélectrique inter-polysilicium constitué de trois couches ultrafines (SiO2/Si3N4/SiO2, chacune d’une épaisseur d’environ 4 nm), requiert de graver cet empilement avec une précision nanométrique sans endommager les couches sous-jacentes. Ce travail de thèse explore la modélisation et la simulation de la gravure de ces matériaux par une approche alternative, appelée Smart-Etch, basée sur l’implantation d’ions légers. Composé de deux étapes, ce procédé consiste à exposer le matériau à graver à un plasma ICP ou CCP d’hydrogène (H2) ou d’hélium (He) puis à retirer sélectivement la couche modifiée par gravure humide ou par exposition à des réactifs gazeux. Afin de comprendre les mécanismes fondamentaux de la première étape et étudier la faisabilité d’un tel procédé, des simulations de dynamique moléculaire (DM) et des mesures expérimentales ont été réalisées pour analyser l'interaction des plasmas d’hydrogène/hélium avec le SiO2 et l’empilement ONO. Ce travail montre que l’implantation du SiO2 par des ions He+ et Hx+ (x = 1-3) de faible énergie (15-150 eV) s’effectue de manière auto-limitée et en deux étapes : une rapide modification en volume (sans gravure importante) suivie d'une saturation lente et de la formation d'une couche implantée stable à l’état stationnaire. L’influence de l’énergie et de la nature ionique sur la modification structurelle/chimique et sur la gravure du substrat est étudiée, permettant une comparaison des résultats obtenus sur le SiO2 avec ceux rapportés sur le Si3N4 dans la littérature. En accord avec l’expérience, les prévisions numériques permettent de proposer une gamme de d’énergies ioniques afin d’implanter chaque couche de l’empilement ONO avec la précision nanométrique requise : 58 eV / 78 eV / 71 eV dans le cas d’un plasma d’hélium et 32 eV / 35 eV (x2) / 44 eV dans le cas d’un plasma d’hydrogène majoritairement composé d’ions H3+. L’étude d’impacts He+ et H+ à incidence rasante sur des flancs de structures SiO2 patternées conclut de manière rassurante sur la faible probabilité des ions réfléchis ou des espèces gravées à venir provoquer un phénomène de micro-trenching au pied des motifs durant l’implantation. Enfin, des simulations de l’implantation de l’empilement complet ONO permettent de valider la faisabilité d’un procédé d’implantation/retrait en une seule étape (et non plus couche par couche) et de donner un ordre de grandeur des énergies à utiliser dans ce cas .