Auteur / Autrice : | Ali Alhoussein |
Direction : | Yacine Azzouz, Zouheir Riah |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Electronique |
Date : | Soutenance le 12/11/2020 |
Etablissement(s) : | Normandie |
Ecole(s) doctorale(s) : | École doctorale mathématiques, information et ingénierie des systèmes (Caen) |
Partenaire(s) de recherche : | Etablissement de préparation de la thèse : Université de Rouen Normandie (1966-....) - Ecole supérieure d'ingénieurs en génie électrique (Rouen) |
Laboratoire : Institut de recherche en systèmes électroniques embarqués (Saint-Étienne-du-Rouvray, Seine-Maritime ; 2001-...) | |
Jury : | Examinateurs / Examinatrices : Yacine Azzouz, Zouheir Riah, Zoubir Khatir, Corinne Alonso, Jean-Charles Le Bunetel, Jean-Luc Schanen, Hadi Alawieh |
Rapporteurs / Rapporteuses : Zoubir Khatir, Corinne Alonso |
Mots clés
Résumé
Avec le développement des nouveaux composants de puissance à grand gap plus performants que leurs homologues en Silicium et l’intégration croissante de ces composants dans le véhicule électrique, la compatibilité électromagnétique est devenue un enjeu important pour le respect des normes de conformité en vigueur. La thèse traite donc les méthodes de modélisation haute fréquence des composants grand gap. Les problèmes liés à la fiabilité et la précision des modèles actuels sont mis en évidence. Ensuite, un nouveau modèle générique est proposé avec des formulations spécifiques lui permettant de mieux reproduire les caractéristiques statiques et dynamiques des MOSFETs en SiC. Des bancs de test ont été mis en place permettant de caractériser ces nouveaux composants avec des précautions spécifiques afin d’améliorer la précision de ces mesures. L’utilisation d’un algorithme génétique développé pour identifier les paramètres du modèle générique proposé, a permis une reproduction fine des caractéristiques mesurées expérimentalement de plusieurs composants SiC ainsi que les perturbations CEM générées dans un convertisseur statique.