Thèse soutenue

Super-réseau d’antipoints de Dirac pour les électrons dans les semiconducteurs III-V

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Auteur / Autrice : Nathali Alexandra Franchina Vergel
Direction : Bruno GrandidierChristophe Delerue
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Électronique, microélectronique, nanoélectronique et micro-ondes
Date : Soutenance le 28/02/2020
Etablissement(s) : Université de Lille (2018-2021)
Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale Sciences pour l'ingénieur (Lille)
Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie

Résumé

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Le graphène est l'un des matériaux les plus fascinants jamais découverts. L’observation de cette monocouche d’atomes de carbone en 2004, a suscité beaucoup d'enthousiasme dans la communauté de la physique. Il représente en fait la première réalisation d'un matériau bidimensionnel naturel. De plus, l'organisation unique des atomes de carbone lui confère des propriétés électroniques exotiques au graphène. Ainsi, la découverte du graphène a ouvert la porte à des effets quantiques difficiles à observer dans d'autres systèmes conventionnels. Néanmoins, étant un matériau naturel, la feuille de carbone ne vient que dans un arrangement atomique : les atomes sont organisés en réseau hexagonal et leurs positions sont fixes. De nos jours, les propriétés électroniques du graphène peuvent être obtenues dans d'autres systèmes, en particulier ceux ayant une symétrie triangulaire. Ces matériaux, connus sous le nom de « matériaux de Dirac », représentent une plate-forme parfaite pour tester des nouveaux phénomènes quantiques non observables dans le graphène.Dans ce travail de thèse, basé sur des travaux antérieurs et des calculs atomistiques en liaisons fortes, un potentiel périodique avec une géométrie en nid d'abeille sera appliqué sur un gaz d'électrons bidimensionnel. Le gaz d'électrons sera créé dans un puit quantique d’InGaAs/InP épitaxié par jet moléculaire. Le puit d’InGaAs et en particulier, sa nature bidimensionnelle, seront caractérisées par microscopie et spectroscopie à effet tunnel à basse température et par des techniques expérimentales supplémentaires. En poussant à leur limite les lithographies de faisceau d'électrons à haute résolution ou de copolymères à blocs, les barrières de potentiel en nid d'abeilles seront nanostructurées dans la couche d'InGaAs pour confiner directement le mouvement des électrons. Ainsi, la réalisation de réseaux hexagonaux ayant une périodicité comprise entre 45 et 20 nm permettra la formation de cônes Dirac et de bandes plates non triviales couvrant des gammes d'énergie allant jusqu'à des dizaines de meV. Le matériau de Dirac obtenu et sa physique intéressante seront étudiés en utilisant la microscopie et la spectroscopie à effet tunnel à basse température. De cette façon, nous ouvririons la porte à un nouveau domaine attractif qui fournirait un contrôle plus fort sur l'ingénierie des bandes en physique de la matière condensée.