Effets de la dynamique et de la rétroaction optique sur les lasers à semi-conducteurs hybrides III-V/Si
Auteur / Autrice : | Sandra Cadavid Gomez |
Direction : | Frédéric Grillot |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Electronique et optoélectronique |
Date : | Soutenance le 04/03/2020 |
Etablissement(s) : | Institut polytechnique de Paris |
Ecole(s) doctorale(s) : | École doctorale de l'Institut polytechnique de Paris |
Partenaire(s) de recherche : | Etablissement opérateur d'inscription : Télécom Paris (Palaiseau, Essonne ; 1878-....) |
Laboratoire : Laboratoire Traitement et communication de l'information (Paris ; 2003-....) | |
Jury : | Président / Présidente : Laurent Vivien |
Examinateurs / Examinatrices : Vincent Roncin, Ammar Sharaiha, George Fischer, Venkataraman Swaminathan, Vassilios Kovanis | |
Rapporteur / Rapporteuse : Vincent Roncin, Ammar Sharaiha |
Mots clés
Résumé
Les circuits intègres photoniques (PIC) sont devenus des éléments clés pour effectuer des fonctions de transmission et de réception à large bande dans les réseaux de communication optique. Cette thèse fournit des informations sur les lasers a semi-conducteurs hybrides (SCL) constitués d’une couche active de matériaux III-V sur un substrat de silicium sur isolant (SOI) pour exploser conjointement les propriétés d’émission des couches III-V et les nombreux avantages offerts par Si pour les applications sur chip. En raison des développements technologiques importants en électronique, cette approche hybride est bien positionnée pour répondre aux exigences de transmission et d’accès à courte distance à moindre cout. Cependant, plusieurs défis subsistent, comme le manque de sources lumineuses efficaces et de dispositif sans isolateur. Du point de vue de l’intégration monolithique d’une intégration hétérogène PIC, il est essential de s’assurer que les réflexions parasites qui peuvent provenir de plusieurs emplacement n’affectent pas la stabilité du laser. Plus précisément, les composants hybrides III-V sur Si semblent avoir de nombreuses sources potentielles de réflexions qui peuvent créer des centimètres de cavités externes en plus de celles naturellement produites à l’intérieur de la fibre de l’ordre de plusieurs mètres. Par conséquent, le travail présenté ici vise à comprendre le comportement des SCL III-V/Si lorsqu’ils sont soumis à une variation de réaction optique, explore les aspects fondamentaux de la dynamique chaotique et étudie les applications potentielles adaptées aux systèmes de télécommunications optiques dans une tentative de répondre aux exigences existantes en matière de haute vitesse.