Conception et caractérisation de circuits intégrés en transistors bipolaires àdouble hétérojonction sur phosphure d’indium pour les télécommunicationsoptiques de classe Tb/s/canal
Auteur / Autrice : | Romain Hersent |
Direction : | Achour Ouslimani |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Génie électrique et électronique - Cergy |
Date : | Soutenance le 15/12/2020 |
Etablissement(s) : | CY Cergy Paris Université |
Ecole(s) doctorale(s) : | École doctorale Sciences et ingénierie (Cergy-Pontoise, Val d'Oise) |
Partenaire(s) de recherche : | Laboratoire : Laboratoire Quartz (Saint-Ouen, Seine-Saint-Denis) |
Jury : | Examinateurs / Examinatrices : Achour Ouslimani, Catherine Algani, Viktor Krozer, Valérie Vigneras, Tom Keinicke Johansen, Abed-Elhak Kasbari, Jean-Yves Dupuy, Philippe Pouliguen |
Rapporteurs / Rapporteuses : Catherine Algani, Viktor Krozer |
Mots clés
Mots clés contrôlés
Résumé
Ces travaux présentent l’étude, la conception et la caractérisation de circuits électroniques intégrés analogiques, réalisés dans la technologie TBDH sur InP de 0,7 mm de largeur d’émetteur du III-V Lab, pour les télécommunications optiques de classe Tb/s/canal. Nous montrons comment l’intégration monolithique d’un entrelaceur analogique deux voies vers une, d’un driver linéaire de modulateur et d’un égaliseur linéaire à temps continu, en synergie avec cette technologie de transistors à fort produit vitesse de fonctionnement x amplitude de sortie, permet d’atteindre des excursions linéaires en tension de sortie différentielles de 3 Vcc à 160 Gb/s en format de modulation multi-niveaux, avec une très bonne qualité du signal, avançant l’état de l’art. Les circuits proposés visent à lever le verrou lié à la bande passante des transmetteurs optiques cohérents afin de repousser leurs limitations en débit symbole électrique, à travers une approche multi-technologiques InP/Si pour exploiter les meilleures performances de chacune.