Nanostructure métallique en forme de W pour le Nano-optique et Simulation numérique des cellules solaires tandem sur silicium
Auteur / Autrice : | Shijian Wang |
Direction : | Rémi Vincent, Alain Rolland |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Matériaux, Mécanique, Optique et Nanotechnologie |
Date : | Soutenance le 13/06/2019 |
Etablissement(s) : | Troyes |
Ecole(s) doctorale(s) : | École doctorale Sciences pour l'Ingénieur (Troyes, Aube) |
Partenaire(s) de recherche : | Organisme gouvernemental étranger : CSC (China Scholarship Council) |
Laboratoire : Institut Charles Delaunay / ICD | |
Jury : | Président / Présidente : Pierre-Michel Adam |
Examinateurs / Examinatrices : Alain Rolland, Pierre-Michel Adam, James Connolly, Alain Morand, Yun Sun | |
Rapporteur / Rapporteuse : James Connolly, Alain Morand |
Mots clés
Mots clés contrôlés
Résumé
Ce travail porte sur deux sujets. La première partie traite d'une structure plasmonique originale basée sur une nouvelle approche de la nanostructuration. La géométrie est décrite comme une couche d'or «pliée» en forme de «W». Nous l’appelons Origami à cause des mots japonais: ‘ori’, plier; «Gami», papier. Les structures sont fabriquées pour une couche d'or de 50 nm d'épaisseur avec une périodicité de 400 à 1000 nm à partir de matrice de silicium. La complexité et l’originalité de la réponse proviennent de la présence d’ondulations régulières avec des facteurs d’exaltation de champ locaux élevés qui peuvent être couplées à un mode de chaîne plasmonique. Les résultats de mesure optique et de simulation sont en bon accord. La deuxième partie traite de la simulation numérique de cellules solaires tandem III-V / Si constituées d’une couche active de GaAsPN. Ce type de cellule solaire possède un rendement théorique élevé et un faible coût. Le travail principal est axé sur l’étude de la couch supérieure de la cellule solaire en raison de la parfaite maîtrise de la fabrication de la couche inférieure des cellules solaires au Si. Les résultats de simulation garantissent la meilleure épaisseur de couche active et indiquent que les couches graduées peuvent réduire l'effet de décalage de bande existant entre les couches GaAsPN et N-GaP. Nous avons constaté que GaP (n ++) / Si (p ++) est la meilleure jonction tunnelle dans cette configuration.