Thèse soutenue

Nano-fabrication de réseaux membranaires en Si3N4 pour des applications aux ondes de matière

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Auteur / Autrice : Hanane Bricha Tazi
Direction : Francisco PeralesNathalie Fabre
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Physique des lasers
Date : Soutenance le 16/12/2019
Etablissement(s) : Paris 13
Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale Galilée (Villetaneuse, Seine-Saint-Denis)
Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : Laboratoire de physique des lasers (Villetaneuse, Seine-Saint-Denis)
Jury : Examinateurs / Examinatrices : Sophie Bouchoule, Ali Soltani, Sébastien Chénais, Valia Voliotis
Rapporteurs / Rapporteuses : Sophie Bouchoule, Ali Soltani

Résumé

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L’étude des interactions de Casimir-Polder (C-P) entre un jet lent d’atomes d’argon métastables en vol libre et la surface d’un nanoréseau de fentes a été réalisée dans ce travail. Nous avons utilisé un nanoréseau fabriqué par lithographie interférométrique au MIT dont malheureusement toutes les caractéristiques géométriques ne nous ont pas été fournies. L’image de diffraction produite lorsque les atomes traversent ce nanoréseau contient à la fois un effet géométrique et un effet C-P. L’estimation de l’incertitude sur le coefficient d’interaction théorique par rapport à l’expérience nécessite une connaissance précise de la taille du réseau. Dans le cadre de cette thèse, nous proposons un procédé de fabrication par lithographie électronique d’un réseau membranaire en Si3N4, à l’échelle nanométrique sur une surface étendue. Cette technique présente une plus grande versatilité sur la forme et les dimensions de fentes sur des petites surfaces. Desdéfis majeursont été relevéspour réaliser cesstructures : la correction des effets de proximité, le développement d’un programme pour le traitement des images et l’optimisation des étapes de gravure sèche. Ceci nous a permis de réaliser des réseaux en Si3N4 de 200 nm de pas, sur une surface de 400 x 400 µm2 avec une uniformité de 10 nm sur les fentes (105 - 115 nm) et une faible corrugation de l’ordre du nanomètre. Grâce à l’anisotropie de la gravure employée, nous avons obtenu des structures rectangulaires sur une profondeur de 100 nm.