Thèse soutenue

Analyses par faisceaux d'ions de structures tridimensionnelles (3D) pour des applications en nanotechnologie
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Auteur / Autrice : Lucien Penlap Woguia
Direction : Denis JalabertFrançois Pierre
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Physique des matériaux
Date : Soutenance le 15/05/2019
Etablissement(s) : Université Grenoble Alpes (ComUE)
Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale physique (Grenoble ; 1991-....)
Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : Laboratoire d'électronique et de technologie de l'information (Grenoble ; 1967-....)
Jury : Président / Présidente : Nathalie Moncoffre
Examinateurs / Examinatrices : Patrice Gergaud, Frédéric Mazen
Rapporteurs / Rapporteuses : Ian Cameron Vickridge, Esidor Ntsoenzok

Résumé

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Afin d'optimiser les performances des circuits intégrés, l’industrie de la micro et nanotechnologie mène d'intenses recherches sur la miniaturisation à l'échelle sub-22nm de leurs principaux constituants que sont les transistors MOS. La réduction de la taille de grille atteint néanmoins des limites qui rendent problématique le contrôle du canal. L'une des approches les plus prometteuses pour contourner ce dilemme et ainsi poursuivre la miniaturisation des futurs nœuds technologiques, consiste au développement des transistors d’architectures 3D (Trigate ou FinFET). La mise au point de telles structures requiert une caractérisation de plus en plus fine, surtout à une étape clé de leur élaboration, qui est celle du dopage par implantation ionique. Du fait des faibles profondeurs implantées, l'analyse par diffusion d'ions de moyenne énergie (MEIS) est tout à fait adaptée pour quantifier les implants et évaluer la conformité du dopage grâce à sa bonne résolution en profondeur (0.25 nm). Néanmoins, les dimensions de la sonde (0.5 × 1 mm2) étant très supérieures à celles des motifs, il nous a fallu développer un protocole d’analyse propre à de telles architectures. Les échantillons étudiés dans le cadre de cette thèse sont des systèmes modèles. Ils sont constitués de réseaux de lignes de silicium (Si) 3D, formées par gravure lithographique par faisceaux d’électrons (e-beam) sur des plaques 300 mm de types silicium sur isolant (SOI). Le dopage a été réalisé à une énergie de 3 keV par implantions conventionnelle (ou beam line) et immersion plasma (PIII).L’analyse des spectres MEIS des implants insérés dans chaque facette des motifs a été possible grâce aux simulations 3D types Monte-Carlo effectuées avec le logiciel PowerMEIS. Nous avons ainsi développé une nouvelle méthode adaptée à la caractérisation du dopage 3D. Les mesures ont montré que, contrairement à la méthode PIII, la dose implantée par la méthode conventionnelle correspond à celle visée. Cependant la distribution des dopants introduits au sein des nanostructures par les deux méthodes de dopage n’est pas uniforme. Dans les échantillons implantés par PIII, on a observé une importante concentration des dopants aux sommets des motifs et un faible dopage des flancs. Ceci étant moins marqué dans celui implanté par la méthode conventionnelle. En corrélant les techniques de Microscopie Electronique en Transmission (MET), d’analyses par rayons x synchrotron et MEIS, nous avons également pu déterminer les dimensions des zones implantées ainsi que celles des zones cristallines dans les réseaux de lignes gravées.L'exploitation de la technique MEIS en mode canalisation a permis une évaluation complète des couches non gravées. L’investigation des endommagements post – dopage dans les régions cristallines non implantées ont été menées toujours avec la même technique MEIS. Les résultats ont révélé une importante influence de la méthode d’implantation et la température sur les défauts et les déformations dans le cristal. L’origine des anomalies au sein des échantillons a ainsi été identifiée en corrélant les mesures MEIS et celles par spectrométrie de masse des ions secondaires en temps de vol (ToF-SIMS).