Synthèse basse température d'oxide d'aluminium et de titane par dépôt de couches atomiques pour l'application en l'encapsulation de dispositifs électroniques organiques
Auteur / Autrice : | Maïmouna Wagane Diouf |
Direction : | Lionel Santinacci, Jacques Kools |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Matière condensée et Nanosciences |
Date : | Soutenance le 22/11/2019 |
Etablissement(s) : | Aix-Marseille |
Ecole(s) doctorale(s) : | Ecole Doctorale Physique et Sciences de la Matière (Marseille) |
Partenaire(s) de recherche : | Laboratoire : Centre Interdisciplinaire de Nanoscience de Marseille (CINAM) |
Jury : | Président / Présidente : Laurence Masson |
Examinateurs / Examinatrices : Thierry Djenizian, Mikhael Bechelany | |
Rapporteurs / Rapporteuses : Tony Maindron, Frédérique Donsanti |
Mots clés
Résumé
L’objectif scientifique de ce travail de thèse était de proposer des structures de films d’encapsulation améliorées et bon marché, fabriquées par dépôt de couches atomiques (Atomic Layer Deposition, ALD) à basse température. Des oxydes largement utilisés, l'alumine (oxide d'aluminium) et l'oxyde de titane, ont été étudiés en utilisant des précurseurs chimiques bon marché (triméthyl aluminium – TMA, tetraisopropoxide de titane – TTIP). L'utilisation d’un traitement plasma pour améliorer les propriétés barrière intrinsèques des couches d'oxydes a été proposée et testée sur de l'alumine. Le traitement plasma consiste en une exposition périodique au plasma argon/oxygène durant un dépôt thermique. Il a permis de produire des films présentant de meilleures propriétés barrière que les films déposés en mode thermique pure ou en mode plasma pure.Un effort a été porté sur la compréhension de l’origine de la faible résistance chimique des films en oxyde de titane faits à basse température avec du TTIP. Il a été démontré que la perméabilité de ces films est liée à l’incorporation de ligands du TTIP dans la couche lors des synthèses à basse température. L’utilisation d’un traitement thermique à une température supérieure au seuil de cristallisation du TiO2 (ca. 340°C) s’est révélée efficace pour éliminer les ligands et restaurer la résistance chimique. Une méthode rapide de caractérisation des macro-défauts, déjà utilisée à Encapsulix, a été davantage développée: la décoration des macro-défauts à l'acide sulfurique.Ces travaux constituent une contribution à l'amélioration des propriétés barrière intrinsèques des oxydes utilisés dans les films de type nanolaminés.