Thèse soutenue

Réalisation et caractérisation de photodétecteurs à base de nanofils de semiconducteur

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Auteur / Autrice : Jean-Philippe Girard
Direction : Louis GiraudetChristophe Couteau
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Matériaux, Mécanique, Optique et Nanotechnologie
Date : Soutenance le 05/07/2018
Etablissement(s) : Troyes
Ecole(s) doctorale(s) : Ecole doctorale Sciences pour l'Ingénieur (Troyes, Aube)
Partenaire(s) de recherche : Collectivité territoriale : Grand Est
Laboratoire : Institut Charles Delaunay / ICD
Jury : Président / Présidente : Jean-Michel Gérard
Examinateurs / Examinatrices : Christophe Couteau, Jean-Michel Gérard, Jean-Sébastien Lauret, Maria Tchernycheva, Renaud Bachelot, Robert Taylor
Rapporteurs / Rapporteuses : Jean-Sébastien Lauret, Maria Tchernycheva

Résumé

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Ces dernières années de nombreux progrès ont été fait dans la réalisation des détecteurs optiques dans le visible. Parmi les plus sensibles du marché on retrouve les photomultiplicateurs (PMTs), qui utilisent l’effet photoélectrique, ce sont des composants chers, volumineux et fragiles. Il existe aussi les photodiodes à avalanches (SPADs ) qui utilisent des jonctions de semi-conducteurs soumises à de forts champs électriques, ils constituent une bonne alternative aux PMTs et sont moins volumineux qu’eux (environ 100µm d’épaisseur). Enfin il y a les nanofils supraconducteurs (SNSPDs), qui sont d’excellents détecteurs fonctionnant à haute fréquence et de faible dimension (de l’ordre du µm²), mais qui nécessitent de fonctionner à très basse température (souvent dans la gamme 1.4K-4K).C’est pourquoi dans cette thèse nous nous sommes intéressés aux photodétecteurs à base de nanofils de semiconducteurs, qui pourraient dans l’avenir, devenir une alternative à ces détecteurs, car ils ont l’avantage d’être utilisable à température ambiante et d’être plus compact que les PMTs et les SPADs. Nous avons fabriqué des photodétecteurs à base de nanofils de ZnO, de CdSe, de GaAs et de GaAsP, puis nous les avons caractérisés électriquement et optiquement. Enfin pour comprendre plus en détail le fort gain obtenu sur les dispositifs en ZnO, nous avons réalisé de la spectroscopie à basse température sur ce matériau. Cela inclut des mesures de photoluminescence, de temps de vie de fluorescence ainsi que de la RPE (résonnance paramagnétique électronique)