Thèse soutenue

Cellules solaires à multijonctions par intégration monolithique de nitrures dilués sur substrats d’arséniure de gallium (GaAs) et de silicium (Si) : études des défauts.

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Auteur / Autrice : Artem Baranov
Direction : Jean-Paul KleiderAlexander Gudovskikh
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Electronique et Optoélectronique, Nano- et Microtechnologies
Date : Soutenance le 26/06/2018
Etablissement(s) : Université Paris-Saclay (ComUE) en cotutelle avec Saint Petersburg Academic University (Saint Petersburg)
Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale Electrical, optical, bio : physics and engineering (Orsay, Essonne ; 2015-....)
Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : Laboratoire Génie électrique et électronique de Paris (Gif-sur-Yvette, Essonne ; 1998-....)
établissement opérateur d'inscription : Université Paris-Sud (1970-2019)
Jury : Président / Présidente : Pere Roca i Cabarrocas
Examinateurs / Examinatrices : Jean-Paul Kleider, Alexander Gudovskikh, Pere Roca i Cabarrocas, Chantal Fontaine, Jean-Pierre Vilcot, Jean Paul Kleider, Georges Brémond
Rapporteurs / Rapporteuses : Chantal Fontaine, Jean-Pierre Vilcot

Mots clés

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Mots clés contrôlés

Résumé

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Les cellules solaires à multi-jonctions de type III-V possèdent des rendements de conversion de l'énergie très élevés (46%). Cependant, les méthodes de fabrication généralement utilisées sont complexes et coûteuses, notamment pour les cellules solaires non monolithiques associées par des techniques de collage et à structure inversée. Cette thèse vise à augmenter les rendements de conversion des cellules solaires monolithiques à l'aide de méthodes prospectives. Le travail est focalisé sur l'étude des défauts électroniquement actifs dans les matériaux constituant les cellules solaires au moyen de techniques photoélectriques et capacitives, et il peut être scindé en trois parties. La première partie traite des cellules solaires à simple jonction avec des couches absorbantes non dopées d'alliages InGaAsN de 1 eV de bande interdite de différentes épaisseurs obtenues sous forme de super-réseaux (InAS / GaAsN) par épitaxie à jets moléculaires (MBE) sur des substrats de GaAs. Pour des épaisseurs inférieures à 1200 nm, la concentration de défauts est négligeable et n'affecte pas fortement les propriétés photoélectriques, tandis que que pour une épaisseur de 1600 nm, la forte concentration de défauts détectés réduit la durée de vie des porteurs photogénérés, et conduit à une baisse significative du rendement quantique externe et des performances de la cellule. La deuxième partie du travail est consacrée à l'étude de cellules solaires à une et plusieurs jonctions avec des couches actives de (In)GaP(As)N obtenues par MBE sur des substrats respectifs de GaP et de Si. Nous avons trouvé que les cellules solaires de type p-i-n avec des couches actives de GaPAsN non dopé présentaient de meilleures performances que les cellules solaires de type p-n avec des couches actives de GaPAsN dopé n. De plus, les cellules solaires avec une couche d'absorbeur en GaPAsN non dopé présentent de meilleures propriétés photoélectriques et des concentrations de défauts plus faibles que celles avec un absorbeur obtenu à partir de super-réseaux InP / GaPN. Plusieurs niveaux de défauts ont été détectés dans la bande interdite de ces matériaux et leurs paramètres ont été décrits en détail. Nous avons montré qu'un traitement de post-croissance approprié pouvait améliorer la qualité électronique des couches et des cellules solaires. Une cellule solaire à triple jonction a été fabriquée avec des couches actives d'absorbeurs de GaPAsN et de GaPN non dopées. La valeur élevée de la tension de circuit ouvert (>2,2V) atteste du fonctionnement des 3 sous-cellules, mais la performance globale est limitée par les faibles épaisseurs de couches d'absorbeurs. Enfin, la troisième partie du travail est consacrée à l'étude de couches de GaP obtenues sur des substrats de Si à des températures inférieures à 400 ° C par une méthode originale de dépôt de couches atomiques assistée par plasma (PE-ALD). En effet, celle-ci utilise un équipement de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma et elle repose sur l'interaction de la surface avec les atomes de Ga et P provenant respectivement du triméthylgallium et de la phosphine qui sont injectés alternativement. Nous avons également fait croître des couches en utilisant un processus continu (fournissant simultanément les atomes P et Ga) et observé que leurs propriétés électriques et structurelles étaient moins bonnes que celles obtenues par la méthode PE-ALD proposée. Nous avons exploré l'influence des conditions de croissance sur les hétérostructures GaP / Si. Nous avons constaté qu'une faible puissance de plasma RF conduit à de meilleures propriétés photoélectriques, structurelles et à moins de défauts, grâce à une meilleure passivation du substrat de silicium. En outre, nous avons démontré que, contrairement à des résultats de la littérature utilisant des procédés MBE, la technique PE-ALD n'affecte pas ou très peu les propriétés électroniques des substrats de silicium et aucune désactivation des dopants n'a été observée.