Thèse soutenue

Intégration 3D de dispositifs mémoires résistives complémentaires dans le back end of line du CMOS
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Auteur / Autrice : Marina Labalette
Direction : Dominique DrouinAbdelkader Souifi
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Electronique, électrotechnique et automatique
Date : Soutenance le 09/05/2018
Etablissement(s) : Lyon en cotutelle avec Université de Sherbrooke (Québec, Canada)
Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale Électronique, électrotechnique, automatique (Lyon)
Partenaire(s) de recherche : établissement opérateur d'inscription : Institut national des sciences appliquées (Lyon ; 1957-....)
Laboratoire : INL - Institut des Nanotechnologies de Lyon, UMR5270 (Rhône) - Institut des Nanotechnologies de Lyon / INL
Jury : Président / Présidente : Jean-Michel Portal
Examinateurs / Examinatrices : Dominique Drouin, Abdelkader Souifi, Jean-Michel Portal, Andreas Ruediger, Barbara De Salvo
Rapporteurs / Rapporteuses : Jean-Michel Portal, Andreas Ruediger

Résumé

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La gestion, la manipulation et le stockage de données sont aujourd’hui de réels challenges. Pour supporter cette réalité, le besoin de technologies mémoires plus efficaces, moins énergivores, moins coûteuses à fabriquer et plus denses que les technologies actuelles s’intensifie. Parmi les technologies mémoires émergentes se trouve la technologie mémoire résistive, dans laquelle l’information est stockée sous forme de résistance électrique au sein d’une couche d’oxyde entre deux électrodes conductrices. Le plus gros frein à l’émergence de tels dispositifs mémoires résistives en matrices passives à deux terminaux est l’existence d’importants courants de fuites (ou sneak paths) venant perturber l’adressage individuel de chaque point de la matrice. Les dispositifs complementary resistive switching (CRS), consistant en deux dispositifs OxRRAM agencés dos à dos, constituent une solution performante à ces courants de fuites et sont facilement intégrables dans le back-end-of-line (BEOL) de la technologie CMOS. Cette thèse a permis d’apporter la preuve de concept de la fabrication et de l’intégration de dispositifs CRS de façon 3D monolithique dans le BEOL du CMOS.