Thèse soutenue

Synthèse et caractérisation de couches minces de sulfure de zinc : applications physiques et simulations numériques

FR  |  
EN
Auteur / Autrice : Abdelhak Jrad
Direction : Souad AmmarNajoua Kamoun Turki
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Chimie. Surface, Interface, Matériaux fonctionnels
Date : Soutenance le 17/07/2017
Etablissement(s) : Sorbonne Paris Cité en cotutelle avec Université de Tunis El Manar
Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale Chimie physique et chimie analytique de Paris Centre (Paris ; 2000-....)
Partenaire(s) de recherche : établissement de préparation : Université Paris Diderot - Paris 7 (1970-2019)
Laboratoire : Interfaces, Traitements, Organisation et Dynamique des Systèmes (Paris ; 2001-....)
Jury : Président / Présidente : Gilles Despaux
Examinateurs / Examinatrices : Souad Ammar, Najoua Kamoun Turki, Gilles Despaux, Fabien Delpech, Hamadi Khemakhem, Hager Maghraoui
Rapporteur / Rapporteuse : Fabien Delpech, Hamadi Khemakhem

Mots clés

FR  |  
EN

Résumé

FR  |  
EN

Le sulfure de zinc est l'un des premiers semiconducteurs découverts. Il a un grand potentiel d’applications grâces à ses propriétés physicochimiques. Il est intensément utilisé dans des applications optoélectroniques, photocatalytiques et pour la détection de gaz. En particulier, il est utilisé pour des applications photovoltaïques. Dans ce contexte, nous avons commencé par l’étude de l’effet du dopage par des métaux de transition (manganèse, cobalt et cuivre) sur les propriétés structurales, microstructurales, morphologiques, optiques, électriques et magnétiques des couches minces de sulfure de zinc préparées par la technique de dépôt chimique en solution (chemical bath deposition (CBD)) par diffraction aux rayons X, spectroscopie photoélectronique X, spectroscopie Raman, spectroscopie infrarouge, microscopie électronique à balayage, spectrophotométrie UV-Vis-NIR, effet Hall et SQUID. En second lieu nous avons étudié l’effet de la variation de l’épaisseur des couches formant la cellule photovoltaïque à base de Cu(In,Ga)Se2 par la simulation numérique à deux dimensions sous éclairement AM1.5 de puissance 100 mW/cm2 effectué sous Silvaco ATLAS