Thèse soutenue

Modélisation, Charactérisation et optimisation des effets associés au substrat au sein d’un commutateur RF utilisé pour des applications WLAN

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Auteur / Autrice : Fadoua Gacim
Direction : Philippe DescampsOlivier Tesson
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Electronique, microelectronique, optique et lasers, optoelectronique microondes
Date : Soutenance le 16/12/2017
Etablissement(s) : Normandie
Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale physique, sciences de l’ingénieur, matériaux, énergie (Saint-Etienne du Rouvray, Seine Maritime)
Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : Laboratoire de cristallographie et sciences des matériaux (Caen ; 1996-....)
établissement de préparation : Université de Caen Normandie (1971-....)
Jury : Président / Présidente : Patrice Gamand
Examinateurs / Examinatrices : Philippe Descamps, Olivier Tesson, Jean-Baptiste Begueret, Emeric de Foucauld, Domine Leenaerts
Rapporteurs / Rapporteuses : Jean-Baptiste Begueret, Emeric de Foucauld

Résumé

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Cette thèse est une étude sur la caractérisation, la modélisation et l’optimisation des effets substrat dans les circuits intégrés, dédies à des applications WLAN.L’objectif de ces travaux de recherche est de développer une nouvelle méthodologie d’extraction qui prenne en compte tous les parasites ; à savoir les modèles RLCK distribués, les effets électromagnétiques, ainsi que le couplage substrat.Les effets substrat ont été optimisés grâce au développement de nouvelles structures d’isolation utilisant des tranches profondes d’isolation (DTI).La prédictibilité des simulations circuits a été améliorée grace à l’introduction d’une nouvelle méthodologie d’extraction, basée sur une approche quasi-statique prenant en compte avec précision la description exacte et complète du procédé BiCMOS ainsi que les pertes dans le substrat, aussi bien diélectriques que résistives.La validité de cette méthodologie a été évaluée en comparant les résultats de simulation avec les mesures sur silicium. La bonne corrélation des résultats démontre la pertinence de cette nouvelle méthodologie. Cette méthode permet de plus, de réduire le « time to maket » grâce à l’optimisation des temps de simulations.