Thèse soutenue

Modélisation physique des procédés de fabrication des jonctions FDSOI pour le nœud 10 nm et en-deçà

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Auteur / Autrice : Anthony Payet
Direction : Patrice GergaudIgnacio Martin-Bragado
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Physique des matériaux
Date : Soutenance le 18/05/2017
Etablissement(s) : Université Grenoble Alpes (ComUE)
Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale physique (Grenoble, Isère, France ; 1991-....)
Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : Laboratoire d'électronique et de technologie de l'information (Grenoble ; 1967-....)
Jury : Président / Présidente : Alain Claverie
Examinateurs / Examinatrices : Frédéric Lançon
Rapporteurs / Rapporteuses : Evelyne Martin, Lourdes M. Pelaz

Résumé

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La fabrication de jonctions implique de nombreux défis technologiques à mesure que les dispositifs se rétrécissent. Afin de mitiger les problèmes liés à la diminution agressive des dimensions des transistors, des substrats SOI ainsi que du silicium-germanium (SiGe) contraint ont été introduits dans les nœuds avancés. Ces nœuds nécessitent toutefois une jonction abrupte fortement activée, qui est réalisable avec la recristallisation en phase solide (SPER) et un faible budget thermique (500°C-5h).Dans ce manuscrit, la SPER du silicium, germanium et d’alliages SiGe est étudiée avec des méthodes atomistiques telles que le Monte Carlo Cinétique (KMC) et la dynamique moléculaire (MD). Le modèle KMC de SPER se base sur une équation d'Arrhenius et distingue des configurations locales à l'interface amorphe-cristal pour simuler la dépendance de la vitesse de SPER par rapport à l’orientation de substrat. Les simulations en dynamique moléculaire montrent que la vitesse de SPER sur les orientations de {111} est fortement dépendante de la taille de la cellule ainsi que de la température et du temps de recuit.Le modèle KMC est de plus étendu afin de considérer l'effet du bore pendant la SPER. Le bore peut en effet créer des complexes à la fois dans l’amorphe et le cristal et augmenter la vitesse de SPER. Cette augmentation est toutefois saturée lorsque le bore atteint de trop fortes concentrations. Un modèle de réaction de défauts traitant les complexes a été adjoint au modèle de SPER afin de correctement simuler la vitesse de SPER pour toutes les concentrations de bore. Dans les alliages (100)SiGe relaxés, l'énergie d'activation de la SPER possède un maximum à 40% de concentration de Ge.Le modèle KMC doit introduire en plus des liaisons Si-Si et Ge-Ge, la liaison Si-Ge pour simuler correctement la recristallisation des alliages. Le modèle est également utilisé pour émettre des hypothèses sur la vitesse de SPER sur d'autres orientations. Les simulations en dynamique moléculaire confirment également le comportement de l’énergie d'activation dans les alliages SiGe.Des expériences de diffractions par rayons-X suivant en temps réel la recristallisation d’alliages de SiGe contraints ont été réalisées avec un rayonnement synchrotron. La contrainte est perdue dans les alliages riches en Ge et la température de recuit semble avoir un rôle sur la relaxation. La rugosité de l'interface pourrait être le lien entre la relaxation de la contrainte et la température, du fait que des simulations en dynamique moléculaires révèlent l’influence de la température de recuit sur la rugosité de l'interface et que les défauts relaxant la contrainte ont été associés à une interface rugueuse.En résumé, le SPER et ses diverses dépendances ont été étudiées dans ce manuscrit par des approches atomistiques. Les conclusions tirées améliorent la compréhension actuelle de la SPER, permettant ainsi une meilleure optimisation de la fabrication des jonctions.