Etude numérique et expérimentale de la cristallisation du silicium par le procédé Kyropoulos pour des applications photovoltaïques
Auteur / Autrice : | Ahmed Nouri |
Direction : | Kader Zaïdat, Yves Delannoy, Guy Chichignoud, Ibn Khaldoun Lefkaier, Bachir Helifa |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Matériaux, mécanique, génie civil, électrochimie |
Date : | Soutenance le 07/03/2017 |
Etablissement(s) : | Université Grenoble Alpes (ComUE) en cotutelle avec Université de Laghouat (Algérie) |
Ecole(s) doctorale(s) : | École doctorale Ingénierie - matériaux mécanique énergétique environnement procédés production (Grenoble ; 2008-....) |
Partenaire(s) de recherche : | Laboratoire : Science et ingénierie des matériaux et procédés (Grenoble) - Université de Laghouat (Algérie) |
Jury : | Président / Présidente : Kheirreddine Lebbou |
Examinateurs / Examinatrices : Bachir Bentria | |
Rapporteurs / Rapporteuses : Matias Velázquez, Aïssa Belgacem Bouzida |
Mots clés
Mots clés contrôlés
Mots clés libres
Résumé
Le procédé Kyropoulos est un procédé de croissance cristalline par trempe de germe permettant potentiellement de produire des lingots de silicium de haute qualité pour des applications photovoltaïques. Un modèle numérique 3D du processus, avec modélisation de la thermique, de la mécanique des fluides et de la solidification, a été créé pour développer un prototype expérimental de croissance Kyropoulos pour le silicium. Le dispositif a un creuset de forme carrée chauffé par trois sources thermiques (haut, bas, coté). La simulation numérique a permis de comprendre l’effet couplé, entre rayonnement et mécanique des fluides dans le bain, sur la solidification. L’étude Numérique a montré que la forme du cristal est dépendante de l’écoulement dans le bain et le rayonnement. Le procédé est sensible à la croissance asymétrique sous l’effet conjugué entre la mécanique des fluides et le changement d’émissivité du silicium durant la solidification. L’application des bons paramètres de chauffage et l’homogénéisation du bain ont permis de contrôler la croissance latérale du cristal. Par conséquence, des cristaux symétriques ont été obtenus numériquement et expérimentalement. L’étude numérique a montré la possibilité de contrôler la forme de la section horizontale du cristal, par diffusion thermique et par convection, pour obtention d’un lingot à section horizontale carrée sans contact avec le creuset.Le prototype expérimental développé a permis de faire croitre des cristaux de silicium monocristallin. Le procédé a stabilisé la croissance facettée donants des cristaux avec une section horizontale carrée grâce à la cinétique de croissance des facettes <111> dans le silicium donnants des mono cristaux de section horizontale de forme carré.