Thèse soutenue

Modélisation et simulation d'attaque laser sur des circuits sécuritaires
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Auteur / Autrice : Stephan De Castro
Direction : Bruno Rouzeyre
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Systèmes automatiques et micro-électroniques
Date : Soutenance le 29/03/2016
Etablissement(s) : Montpellier
Ecole(s) doctorale(s) : École Doctorale Information, Structures, Systèmes (Montpellier ; 2015)
Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : Laboratoire d'informatique, de robotique et de micro-électronique (Montpellier ; 1992-....)
Jury : Président / Présidente : Lionel Torres
Examinateurs / Examinatrices : Bruno Rouzeyre, Lionel Torres, Lorena Anghel, Guy Gogniat, Jean-Max Dutertre
Rapporteurs / Rapporteuses : Lorena Anghel, Guy Gogniat

Mots clés

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Résumé

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De nos jours, de plus en plus de circuits électroniques sont utilisés pour des usages critiques, tels le paiement ou l’identification. Ces circuits peuvent ainsi susciter l’intérêt de personnes malveillantes. Parmi toutes les méthodes permettant d’obtenir les clés de chiffrement, l’illumination du circuit à l'aide d'un laser est une des méthodes particulièrement efficace. Il est donc important de pouvoir prémunir les circuits sécurisés de ces attaques. Cependant, afin de tester la résistance du circuit face à l’injection laser, il est nécessaire de réaliser des injections sur celui-ci. Si le circuit ne correspond pas aux exigences sécuritaires, il est donc nécessaire de le modifier, ce qui induit un coût important en termes de temps de conception et de coût de fabrication. Afin de prédire l’effet de l’illumination laser et donc éviter ce surcoût, des simulateurs et des modèles électriques modélisant l’effet d’une illumination laser ont été développé.Dans un premier temps, nous décrivons le phénomène physique lié à l’injection laser (effet photoélectrique) qui conduit à la génération de faute dans le circuit. Puis nous donnons une description des premiers modèles électriques de simulation d’injection laser, utilisant des sources de courant afin de représenter l’effet de l’illumination dans le silicium.Ensuite, nous présentons une mise en pratique d’attaques sur un crypto processeur implémentant un AES 128. Cette expérience a permis de comparer les deux méthodes d’injections possibles avec un laser, l’injection par la face avant et par la face arrière. Il ressort de cette comparaison que la cible et le matériel d’injection à disposition sont un élément important dans le choix de la méthode d’injection. En effet, il est possible pour certains circuit d’obtenir plus de fautes exploitables (mono-bit ou mono-octet) en injectant par la face avant avec un faisceau large que par la face arrière avec un faisceau aussi large. Cet effet s’explique par un filtrage des lignes de métaux, présentes au-dessus du silicium, qui ont pour effet de réduire la zone de silicium illuminée.Nous nous intéressons ensuite à la validité des modèles électriques d’injection laser pour les technologies les plus récentes. Nous avons donc développé des nouveaux modèles sur les technologies bulk et CMOS Fully Depleted Silicon On Insulator (FDSOI). De par sa structure, le transistor CMOS FDSOI semble à priori plus résistant à l’injection laser que le transistor CMOS bulk. Cette observation est validée par l’expérience.Finalement, nous réalisons des injections sur un élément de mémorisation (chaîne de bascules DFF). Ces expériences ont montré que malgré la plus grande résistance d’une technologie CMOS FDSOI très récentes, il est possible d’injecter des fautes dans les bascules. Avec un faisceau laser d’un micromètre, pour cette bascule, il est même possible suivant la zone d’injection de choisir le type de faute injectée. Malgré le fait que l’injection soit toujours possible pour ces technologies, la technologie CMOS FDSOI est plus résistante car la différence entre le seuil énergétique d’injection de faute et de casse est plus faible et aussi par l’effet d’une « casse » lors de plusieurs injections successives.En conclusion, les travaux précédents ont permis de mettre à jour et de développer de nouveaux modèles électriques d’injection laser pour des technologies CMOS bulk et FDSOI très récentes et de comparer ces deux technologies face à l’injection laser. Il en ressort que malgré une injection de faute encore possible pour ces deux technologies, l’injection est plus difficile lorsque le circuit est implanté en technologie CMOS FDSOI.