Développement d'une solution Core-chip MMIC avec convertisseur série-parallèle intégré en technologie BiCMOS pour la formation des faisceaux pour antennes agiles
Auteur / Autrice : | Matthieu Gastaldi |
Direction : | Daniela Dragomirescu, Alexandru Takacs |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Micro et Nanosystèmes |
Date : | Soutenance le 20/12/2016 |
Etablissement(s) : | Toulouse, INSA |
Ecole(s) doctorale(s) : | Génie Electrique, Electronique et Télécommunications |
Partenaire(s) de recherche : | Laboratoire : Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes - Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes [Toulouse] / LAAS |
Jury : | Président / Présidente : Christian Person |
Examinateurs / Examinatrices : Daniela Dragomirescu, Alexandru Takacs, Vincent Armengaud, George Papaioannou, Stephane Rochette | |
Rapporteur / Rapporteuse : Yann Deval, Nathalie Rolland |
Mots clés
Mots clés contrôlés
Mots clés libres
Résumé
L’objectif de cette action R&T CNES est le développement en technologie intégrée SiGe BiCMOS d’un core-chip MMIC pour les antennes à formation de faisceaux. Les nouvelles solutions pour les charges satellites développées pour les applications télécom notamment ont besoin d’être de plus en plus flexibles. Cela passe par la mise en place d’un très grand nombre de points de contrôle RF ‘Amplitude/Phase’ qui alimentent les antennes actives. Il faut donc de nouvelles solutions pour optimiser ces fonctions. Ces solutions doivent répondre à plusieurs critères : être compactes, diminuer la consommation DC et conserver les mêmes niveaux de performance en termes de gain, résolution et linéarité que les solutions déjà en place. Dans ce contexte, notre projet de recherche a porté sur le développement de circuits déphaseurs et atténuateurs en technologie SiGe. Une étude préliminaire a permis d’évaluer la technologie en réalisant un premier run comprenant des cellules de déphasage et d’atténuation élémentaires. Des lignes de transmission de type Slow Wave Lines ont également été intégrées afin de montrer leur potentiel pour des applications futures. Ces premiers résultats ont conduits à réaliser un second run comprenant des circuits plus avancés ainsi que le test d’une nouvelle technique pour le design des transistors : le body floating. Cette technique nous a permis de diminuer les pertes de nos circuits tout en améliorant la linéarité. Un troisième run incluant un déphaseur et un atténuateur 4 bits a permis de confirmer les modèles de simulations et le potentiel des circuits MMIC en technologie SiGe. Un dernier run a enfin permis de réaliser un nouveau type de SWL et de réaliser des solutions alternatives aux circuits classiques basées sur ces dernières.