Développement et réalisation de nouvelles structures de protection contre les décharges électrostatiques

Development and realization of new ESD protection against electrostatic discharge

• Auteur / Autrice : Bertrand Courivaud
• Direction : Nicolas Nolhier, Gilles Ferru
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Génie électrique
• Date : Soutenance le 05/02/2015
• Etablissement(s) : Toulouse 3
• Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale Génie électrique, électronique, télécommunications et santé : du système au nanosystème (Toulouse)

Mots clés

Mots clés contrôlés

Terminaisons à tranchée profonde

Commande robuste

Décharges électriques

Mots clés libres

ESD

Tranchée profonde

Robustesse

TCAD simulation

Résumé

Le cadre de cette étude se focalise sur le développement de protections contre les décharges électrostatiques (ESD) externes aux composants électroniques à protéger. Pour des raisons applicatives, ou l'encombrement devient une préoccupation majeure, ces protections ESD doivent répondre à des contraintes de taille toujours plus difficiles à satisfaire tout en gardant les mêmes performances en robustesse. Ce travail présente un nouveau concept de structure de protection ESD bidirectionnel basé sur une technologie industrielle originellement dédié à la réalisation de capacités à haute densité d'intégration. Le procédé technologique possède une étape de fabrication de tranchées profonde qui est mise à profit dans cette étude pour la réalisation de diodes tridimensionnelles. L'optimisation de la configuration de ces structure a été menée par une étude théorique à l'aide des outils de simulation TCAD afin de mieux appréhender le fonctionnement physique et d'apporter des règles de conception. De nombreux résultats expérimentaux sont présentés et des comparaisons seront également menées afin de quantifier l'apport de cette nouvelle technologie. La meilleure configuration permet de garantir une réduction de 25% de la taille des structures tout en garantissant un niveau de robustesse élevé.

As part of this study focuses on the development of external protection against electrostatic discharge (ESD) to the electronic components to protect. For many applicative reasons where taken area becomes a major concern, the ESD protection must meet size constraints increasingly difficult to satisfy while keeping the same performance in robustness. This work presents a new concept of bi-directional ESD protection structure based on industrial technology originally dedicated to achieving high-density integration capabilities. The technological process has a deep trench production step which is used in this study for the realization of three-dimensional diodes. Optimizing configuration of the structure was conducted by a theoretical study using TCAD simulation tools to better understand the physical functioning and provide design rules. Many experimental results are presented and comparisons will also be conducted to quantify the contribution of this new technology. The best configuration ensures a 25% reduction in the size of structures while ensuring a high level of robustness.