Méthodologie de conception et de l'évaluation des technologies 3D haute densité

Design methodology and technology assessment for high-desnity 3D technologies

• Auteur / Autrice : Hossam Sarhan
• Direction : Fabien Clermidy
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Nanoélectronique et nanotechnologie
• Date : Soutenance le 23/11/2015
• Etablissement(s) : Université Grenoble Alpes (ComUE)
• Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)
• Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : Laboratoire d'électronique et de technologie de l'information (Grenoble ; 1967-....)
• Jury : Président / Présidente : Lorena Anghel
• Jury : Examinateurs / Examinatrices : Fabien Clermidy, Sébastien Thuries, Sung Kyu Lim
• Jury : Rapporteurs / Rapporteuses : Amara Amara, Jacques-Olivier Klein

Mots clés

Mots clés contrôlés

Circuits intégrés

Évaluation technologique

Mots clés libres

3D IC

Monolithique 3D

Méthodologie de conception

3D haute densité

Architecture

Évaluation des technologies

3D IC

Monolithic 3D

Design methodology

High density 3D

Architecture

Technololgy assessment

Résumé

L'impact des interconnections d'un circuit intégré sur les performances et la consommation est de plus en plus important à partir du nœud CMOS 28 nm et au-delà, ayant pour effet de minimiser de plus ne plus la loi de Moore. Cela a motivé l'intérêt des technologies d'empilement 3D pour réduire l'effet des interconnections sur les performances des circuits. Les technologies d'empilement 3D varient suivant différents procédés de fabrication d'où l'on mettra en avant la technologie Trough Silicon Via (TSV) – Collage Cuivre-Cuivre (Cu-Cu) et 3D Monolithique. TSV et Cu-Cu présentent des diamètres d'interconnexions 3D de l'ordre de 10 µm tandis que le diamètre d'une interconnexion 3D Monolithique est 0.1 µm, c'est-à-dire cent fois plus petit. Un tel diamètre d'interconnexion créée de nouveaux challenge en terme de conception de circuit intégré numérique. Dans ce contexte, notre objectif est de proposer des méthodologies de conception de circuits 3D innovantes afin d'utiliser au mieux la densité d'intégration possible et d'évaluer efficacement les gains en performance, surface et consommation potentiels de ces différentes technologies d'empilement par rapport à la conception de circuit 2D.Trois contributions principales constituent cette thèse : La densité d'intégration offerte par les technologies d'empilement étudiées laisse le possibilité de revoir la topologie des cellules de bases en les concevant directement en 3D. C'est ce qui a été fait dans l'approche Cellule sur Buffer (Cell-on-Buffer – CoB), en empilant la fonction logique de base d'une cellule sur l'étage d'amplification. Les simulations montrent des gains substantiels par rapport aux circuits 2D. On a imaginé par la suite désaligner les niveaux d'alimentation de chaque tranche afin de créer une technique de Multi-VDD adaptée à l'empilement 3D pour réduire encore plus la consommation des circuits 3D.Dans un deuxième temps, le partitionnement grain fin des cellules a été étudié. En effet au niveau VLSI, quand on conçoit un circuit de plusieurs milliers voir million de cellules standard en 3D, se pose la question de l'attribution de telle ou telle cellule sur la tranche haute ou basse du circuit 3D afin d'accroitre au mieux les performances et consommation du circuit 3D. Une méthodologie de partitionnement physique est introduite pour cela.Enfin un environnement d'évaluation des performances et consommation des technologies 3D est présenté avec pour objectif de rapidement tester les gains possibles de telle ou telle technologie 3D tout en donnant des directives quant à l'impact des certains paramètres technologiques 3D sur les performances et consommation.

Scaling limitations of advanced technology nodes are increasing and the BEOL parasitics are becoming more dominant. This has led to an increasing interest in 3D technologies to overcome such limitations and to continue the scaling predicted by Moore's Law. 3D technologies vary according to the fabrication process which creates a wide spectrum of technologies including Through-Silicon-VIA (TSV), Copper-to-Copper (CuCu) and Monolithic 3D (M3D). TSV and CuCu provide 3D contacts of pitch around 5-10um while M3D scales down 3D via pitch extremely to 0.11um. Such high-density capability of Monolithic 3D technology creates new design paradigms. In this context, our objective is to propose innovative design methodologies to well utilize M3D technology and introduce a technology assessment framework to evaluate different M3D technology parameters from design perspective.This thesis can be divided into three main contributions. As creating 3D standard cells become achievable thanks to M3D technology, a new 3D standard cell approach has been introduced which we call it ‘3D Cell-on-Buffer' (3DCoB). 3DCoB cells are created by splitting 2D cells into functioning gates and driving buffers stacked over each other. The simulation results show gain in timing performances compared to 2D. By applying an additionally Multi-VDD low-power approach, iso-performance power gain has been achieved. Afterwards cell-on-cell design approach has been explored where a partitioning methodology is needed to distribute cells between different tiers, i.e. determine which cell is placed on which tier. A physical-aware partitioning methodology has been introduced which improves power-performance-area results comparing to the state-of-the-art partitioning techniques. Finally a full high-density 3D technology assessment study is presented to explore the trade-offs between different 3D technologies, block complexities and partitioning methodologies.