Etude des bruits basse fréquence dans les détecteurs infrarouge quantiques refroidis à base de HgCdTe
Auteur / Autrice : | Alexandre Brunner |
Direction : | Daniel Bauza, Laurent Rubaldo |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Nanoélectronique et nanotechnologie |
Date : | Soutenance le 01/06/2015 |
Etablissement(s) : | Université Grenoble Alpes (ComUE) |
Ecole(s) doctorale(s) : | École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....) |
Partenaire(s) de recherche : | Laboratoire : Institut de microélectronique, électromagnétisme et photonique - Laboratoire d'hyperfréquences et de caractérisation (Grenoble) |
Jury : | Président / Présidente : Guo Neng Lu |
Examinateurs / Examinatrices : Daniel Bauza, Engin Molva | |
Rapporteurs / Rapporteuses : Pierre Magnan, Abdelmadjid Mesli |
Mots clés
Mots clés contrôlés
Mots clés libres
Résumé
Les exigences liées aux photodétecteurs modernes font de la maîtrise du niveau de bruit un enjeu majeur pour les technologies de demain. Le Random Telegraph Signal (RTS), à l'origine de « pixels clignotants » en imagerie, gênants pour l'utilisateur comme pour les algorithmes de traitement et d'analyse du signal, fait partie des sources de bruit problématiques. Ce travail en fait l'étude dans les détecteurs infrarouge quantiques refroidis à base de HgCdTe. Le premier chapitre présentera des généralités sur la détection infrarouge, le fonctionnement des photodétecteurs quantiques, le matériau HgCdTe, et le bruit. On exposera ensuite les études réalisées sur le bruit RTS dans les imageurs pour différents domaines de l'infrarouge et trois technologies de fabrication de photodiodes. L'évolution des caractéristiques du bruit (amplitude et fréquence) en fonction de la température du détecteur, du flux de photons reçus, de la polarisation appliquée, ou encore du temps d'intégration seront également analysées. Le troisième chapitre sera consacré à l'origine du bruit RTS. Pour cela, différentes architectures d'étages d'entrée de circuit de lecture et de technologies de fabrication de photodiodes seront passées en revue. Enfin, le dernier chapitre exposera l'étude par Deep Level Transient Spectroscopy des défauts profonds électriquement actifs dans la bande interdite du HgCdTe pour le proche infrarouge (Short Wave InfraRed, à 2,5µm).