Réalisation et caractérisation de CMUT basse température pour applications d'imagerie médicale
Auteur / Autrice : | Emilie Bahette |
Direction : | Daniel Alquier |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Electronique |
Date : | Soutenance le 01/12/2014 |
Etablissement(s) : | Tours |
Ecole(s) doctorale(s) : | École doctorale Énergie, Matériaux, Sciences de la Terre et de l'Univers (Centre-Val de Loire) |
Partenaire(s) de recherche : | Equipe de recherche : Laboratoire GREMAN (Tours) |
Laboratoire : École polytechnique universitaire (Tours) | |
Jury : | Président / Présidente : Livu Nicu |
Examinateurs / Examinatrices : Jean-François Michaud, Alessandro Stuart Savoia | |
Rapporteurs / Rapporteuses : Corinne Dejous, Joseph Lardies |
Mots clés
Mots clés contrôlés
Résumé
Les cMUT sont des microsystèmes principalement utilisés pour de l’imagerie médicale. Afin de développer de nouvelles architectures de sondes, intégrer l’électronique de commande devient impératif. Pour y parvenir, la température du procédé de réalisation ne doit pas excéder 400°C. Cela nécessite donc de revoir les procédés et matériaux utilisés. Pour répondre à cette problématique, nous avons utilisé une électrode originale en siliciure de nickel obtenu à 400°C, une couche sacrificielle en nickel et une membrane en nitrure de silicium déposée à 200°C. Des cMUT ont été fabriqués sur un substrat silicium. Ils présentent les caractéristiques souhaitées à savoir une forte fréquence de résonance (16,4MHz), une tension de collapse maitrisée (65V) et un coefficient de couplage électromécanique satisfaisant (0,6). De plus, le procédé développé peut être étendu à d’autres types de substrats.