Fiabilité et variabilité temporelle des technologies CMOS FDSOI 28-20nm, du transistor au circuit intégré
Auteur / Autrice : | Damien Angot |
Direction : | Alain Bravaix |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Micro et Nanoélectronique |
Date : | Soutenance le 05/12/2014 |
Etablissement(s) : | Aix-Marseille |
Ecole(s) doctorale(s) : | École doctorale Sciences pour l'Ingénieur : Mécanique, Physique, Micro et Nanoélectronique (Marseille) |
Jury : | Président / Présidente : Gérard Ghibaudo |
Rapporteur / Rapporteuse : Brice Gautier, Guido Groeseneken |
Mots clés
Mots clés contrôlés
Mots clés libres
Résumé
La course à la miniaturisation requiert l'introduction d'architectures de transistors innovantes enremplacement des technologies conventionnelles sur substrat de silicium. Ainsi la technologie UTBB-FDSOI permet d'améliorer notablement l'intégrité électrostatique et assure une transition progressive vers les structures 3D multigrilles. Ces dispositifs diffèrent des structures conventionnelles par la présence d'un oxyde enterré qui va non seulement modifier l'électrostatique mais également introduire une nouvelle interface de type Si/SiO2 sujette à d'éventuelles dégradations. Par ailleurs, la réduction des dimensions des transistors s'accompagne d'une augmentation de la dispersion des paramètres électriques. En parallèle, le vieillissement de ces transistors introduit une forme additionnelle de variabilité : la variabilité temporelle, qu'il convient d'intégrer à cette composante moyenne de dégradation. Ce travail de thèse est développé sur quatre chapitres, où nous nous intéressons dans le premier chapitre aux évolutions technologiques nécessaires pour passer des technologies CMOS standards (40LP, 28LP) à cette technologie UTBB-FDSOI. Puis dans le second chapitre, nous abordons la dégradation moyenne des transistors et l'impact de l'architecture sur la fiabilité des dispositifs, étudiés sur les mécanismes de dégradations NBTI et HCI. Le troisième chapitre donne au niveau transistor une description analytique et physique de la variabilité temporelle induite par le NBTI. Enfin, cette variabilité temporelle est intégrée au niveau cellules SRAM dans le quatrième chapitre afin de prédire les distributions des tensions minimums de fonctionnement (Vmin) des mémoires SRAM.