Auteur / Autrice : | Dae-Young Jeon |
Direction : | Mireille Mouis |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Sciences et technologie industrielles |
Date : | Soutenance le 23/10/2013 |
Etablissement(s) : | Grenoble en cotutelle avec 239 - Korea University |
Ecole(s) doctorale(s) : | École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....) |
Partenaire(s) de recherche : | Equipe de recherche : Institut de la Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique |
Jury : | Président / Présidente : Gérard Ghibaudo |
Examinateurs / Examinatrices : Laurent Montes, Gyu Tae Kim, Lorenzo Spadini, Jean Martins, Thibaud Delahaye, Luca Perniola | |
Rapporteurs / Rapporteuses : Jong-Tae Park, Moongyu Jang, Antonio Pascoal |
Mots clés
Mots clés contrôlés
Résumé
L'invention du premier transistor à Bell lab's, dans le groupe de W. Shockley, en 1947 a été suivie d'une ère de développement des circuits intégrés (IC). Depuis plusieurs dizaines d'années, la dimension critique des transistors métal/oxyde/semi-conducteurs (les transistors MOS), la longueur physique de la grille, a diminué à un rythme régulier. Cette évolution, motivée par des raisons économiques, a été anticipée par G. Moore, et est de ce fait connue sous le nom de "loi de Moore". La dimension de grille a d'ores et déjà été réduite de plus de 2 ordres de grandeur et, dans son édition2012, l'association ITRS prédit qu'elle décroîtra encore, de 22nm en 2011 à environ 6nm en 2026 [1].Toutefois, cette réduction des dimensions fait apparaître un certain nombre d'effets secondaires qui altèrent le fonctionnement idéal des transistors MOS [2].