Etude de la diffusion réactive entre Mn et Ge à l'échelle nanométrique pour des applications en spintronique

par Omar Abbes

Thèse de doctorat en Matière condensée et Nanosciences

Sous la direction de Christophe Girardeaux et de Alain Portavoce.

Le président du jury était Carmelo Pirri.

Le jury était composé de Vinh Le Thanh.

Les rapporteurs étaient Vy Yam, Fiqiri Hodaj.


  • Résumé

    Le couplage des propriétés ferromagnétiques et semiconductrices représente une perspective prometteuse, afin de réaliser des technologies qui exploitent le spin des électrons. Ceci permettra de stocker et traiter des bits informatiques de façon instantanée dans le même dispositif, plutôt que dans des dispositifs séparés (mémoire et processeur). La Spintronique pourrait alors révolutionner la technologie de l'information. Un candidat potentiel pour la fabrication d'hétérostructures métal ferromagnétique/semiconducteur pour des applications en Spintronique, est le système Mn-Ge. Ce système qui est compatible avec la technologie CMOS, présente une phase intéressante pour la Spintronique qui est Mn5Ge3, avec une possibilité d'épitaxie sur le Ge(111). Afin d'intégrer cette phase dans des procédés de fabrication, nous étudions la diffusion réactive à l'état solide entre un film de Mn et un substrat de Ge (comme dans le cas de la formation des siliciures dans la technologie CMOS). L'accent a été mis sur la séquence de formation de phases lors de la réaction entre un film nanométrique de Mn et le Ge, l'influence de l'interface sur cette réaction, et sur la diffusion du Mn dans le Ge. L'incorporation du carbone dans des films minces de Mn5Ge3 a montré une augmentation notable de la température de Curie : nous présentons alors l'effet du carbone sur la réaction Mn-Ge, et sa redistribution dans les couches minces MnxGey.

  • Titre traduit

    Study of reactive diffusion between Mn and Ge at the nanoscale for spintronic applications


  • Résumé

    Coupling ferromagnetic and semi-conducting properties represents a pathway toward producing technologies that exploit the spin of electrons. That would allow store and process computer bits instantly in a same device, rather than separate devices (memory and CPU). The Spintronics could then revolutionize the information technology. A potential candidate for the fabrication of heterostructures ferromagnetic metal / semiconductor for Spintronics applications is the Mn-Ge system. This system is compatible with CMOS technology, and presents an interesting phase for Spintronics which is Mn5Ge3 phase, which is able to be grown epitaxially on Ge(111). To integrate this phase in the manufacturing process, we study the solid state reactive diffusion between a thin Mn film and Ge substrate, to form a germanide upon the Ge substrate (as in the case of the formation of silicides in CMOS technology). Emphasis was placed on the sequence of phase formation during the reaction between a 50 nm thick Mn film and Ge, the influence of the interface on the reaction, and the diffusion of Mn in Ge. Incorporation of carbon in thin Mn5Ge3 films showed a significant increase in the Curie temperature, we then present the effect of carbon on the reaction Mn-Ge and its redistribution in thin MnxGey films.


Le texte intégral de cette thèse n'est pas accessible en ligne.
Il est disponible au sein de la bibliothèque de l'établissement de soutenance.

Consulter en bibliothèque

La version de soutenance existe

Informations

  • Détails : 1 vol. (169 p.)
  • Annexes : Bibliographie p. 159-169

Où se trouve cette thèse\u00a0?

  • Bibliothèque : Université d'Aix-Marseille (Marseille. Saint-Jérôme). Service commun de la documentation. Bibliothèque de sciences - Inspé.
  • Disponible pour le PEB
  • Cote : 200080383
  • Bibliothèque : Université d'Aix-Marseille. Service commun de la documentation. Bibliothèque électronique.
Voir dans le Sudoc, catalogue collectif des bibliothèques de l'enseignement supérieur et de la recherche.