Thèse soutenue

Etude de la diffusion réactive entre Mn et Ge à l'échelle nanométrique pour des applications en spintronique
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Auteur / Autrice : Omar Abbes
Direction : Christophe GirardeauxAlain Portavoce
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Matière condensée et Nanosciences
Date : Soutenance le 28/02/2013
Etablissement(s) : Aix-Marseille
Ecole(s) doctorale(s) : Ecole Doctorale Physique et Sciences de la Matière (Marseille)
Jury : Président / Présidente : Carmelo Pirri
Examinateurs / Examinatrices : Vinh Le Thanh
Rapporteurs / Rapporteuses : Vy Yam, Fiqiri Hodaj

Résumé

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Le couplage des propriétés ferromagnétiques et semiconductrices représente une perspective prometteuse, afin de réaliser des technologies qui exploitent le spin des électrons. Ceci permettra de stocker et traiter des bits informatiques de façon instantanée dans le même dispositif, plutôt que dans des dispositifs séparés (mémoire et processeur). La Spintronique pourrait alors révolutionner la technologie de l'information. Un candidat potentiel pour la fabrication d'hétérostructures métal ferromagnétique/semiconducteur pour des applications en Spintronique, est le système Mn-Ge. Ce système qui est compatible avec la technologie CMOS, présente une phase intéressante pour la Spintronique qui est Mn5Ge3, avec une possibilité d'épitaxie sur le Ge(111). Afin d'intégrer cette phase dans des procédés de fabrication, nous étudions la diffusion réactive à l'état solide entre un film de Mn et un substrat de Ge (comme dans le cas de la formation des siliciures dans la technologie CMOS). L'accent a été mis sur la séquence de formation de phases lors de la réaction entre un film nanométrique de Mn et le Ge, l'influence de l'interface sur cette réaction, et sur la diffusion du Mn dans le Ge. L'incorporation du carbone dans des films minces de Mn5Ge3 a montré une augmentation notable de la température de Curie : nous présentons alors l'effet du carbone sur la réaction Mn-Ge, et sa redistribution dans les couches minces MnxGey.