Conception et réalisation de composants unipolaires en Carbure de Silicium
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Auteur / Autrice : | Maxime Berthou |
Direction : | Dominique Planson, Philippe Godignon |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Energie et systèmes |
Date : | Soutenance le 18/01/2012 |
Etablissement(s) : | Lyon, INSA |
Ecole(s) doctorale(s) : | École doctorale Électronique, électrotechnique, automatique (Lyon) |
Partenaire(s) de recherche : | Laboratoire : AMPERE - Génie Electrique, Electromagnétisme, Automatique, Microbiologie Environnementale et Applications (Rhône) |
Jury : | Président / Présidente : Frédéric Morancho |
Examinateurs / Examinatrices : Dominique Planson, Philippe Godignon, Frédéric Morancho, Philip Mawby, Pierre Brosselard, Michel Mermet-Guyennet | |
Rapporteurs / Rapporteuses : Philip Mawby |
Mots clés
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Mots clés contrôlés
Mots clés libres
Electronique de puissance
Diode à barrière de Schottky
Semiconducteur VMOS
Diode bipolaire JTE - Junction Termination Extension
Haute tension
Carbure de silicium
Semiconducteur VDMOS
Diode bipolaire JTE - Junction Termination Extension
Haute température
Electronique de commutation
Convertisseur de haute tension
Convertisseur sous haute température
Résumé
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Nous présentons dans ce document, notre étude de la conception et la réalisation de VMOS et de diodes Schottky et JBS en carbure de silicium. Ce travail nous a permis d'optimiser et de fabriquer des diodes utilisant une barrière Schottky en Tungsten de différentes tenues en tension entre 1,2kV et 9kV. De plus, notre étude du VMOS nous a permis d'identifier la totalité des problèmes auxquels nous faisons face. Ainsi, nous avons pu améliorer ces composants tout en essayant de nouveaux designs tels que le VIEMOS et l'intégration monolithique de capteurs de temperature et de courant.