Intégration 3D de nanofils Si-SiGe pour la réalisation de transistors verticaux 3D à canal nanofil
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Auteur / Autrice : | Guillaume Rosaz |
Direction : | Thierry Baron |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Sciences et technologie industrielles |
Date : | Soutenance le 11/12/2012 |
Etablissement(s) : | Grenoble |
Ecole(s) doctorale(s) : | École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....) |
Partenaire(s) de recherche : | Equipe de recherche : Laboratoire des Technologies et de la Microélectronique |
Jury : | Président / Présidente : Gérard Ghibaudo |
Examinateurs / Examinatrices : Guilhem Larrieu, Jean-Louis Leclercq, Bassem Salem, Nicolas Pauc | |
Rapporteurs / Rapporteuses : Jean-Luc Autran, Emmanuel Dubois |
Mots clés
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Mots clés contrôlés
Résumé
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Le but de cette thèse est de réaliser et d’étudier les propriétés électroniques d’un transistor à canal nanofil monocristallin à base de Si/SiGe (voir figure), élaboré par croissance CVD-VLS, à grille enrobante ou semi-enrobante en exploitant une filière technologique compatible CMOS. Ces transistors vont nous permettre d’augmenter la densité d’intégration et de réaliser de nouvelles fonctionnalités (par exemple : des interconnections reconfigurables) dans les zones froides d’un circuit intégré. La thèse proposée se déroulera dans le cadre d'une collaboration entre le laboratoire LTM-CNRS et le laboratoire SiNaPS du CEA/INAC/SP2M et utilisera la Plateforme Technologique Amont (PTA) au sein du pôle MINATEC.