Etude de la croissance de nanofils de Si Ge et caractérisation par microscopie à force atomique
Auteur / Autrice : | Alexis Potié |
Direction : | Thierry Baron, Laurent Montès |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Sciences et technologie industrielles |
Date : | Soutenance le 05/01/2012 |
Etablissement(s) : | Grenoble |
Ecole(s) doctorale(s) : | École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....) |
Partenaire(s) de recherche : | Equipe de recherche : Institut de la Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique |
Jury : | Président / Présidente : Anne Kaminski |
Examinateurs / Examinatrices : Thierry Baron, Laurent Montès, Dominique Mangelinck, Claude Gilbert, Claude Courlet, Francois-xavier Merrien | |
Rapporteur / Rapporteuse : Georges Bremond, Daniel Bouchier, Vladimir e. Kravtsov |
Mots clés
Résumé
Étude de la croissance de nanofils de SiGe par dépôt chimique en phase vapeur et caractérisation par microscopie à force atomique. Les nanofils semi-conducteurs constituent des briques de bases au potentiel prometteur pour l’amélioration des dispositifs du futur. D’autre part, l’alliage SiGe permet de contrôler les propriétés électroniques de la matière telles que les mobilités des porteurs et la largeur de bande. Dans le cadre de ce travail de thèse, nous étudions les mécanismes de croissance catalysée de nanofils de SiGe et développons des méthodes de caractérisation de nanofils par AFM.Dans un premier temps, la croissance par CVD de nanofils de SiGe est étudiée en utilisant l’or comme catalyseur. Nous étudions l’influence du HCl en phase gazeuse qui permet un contrôle de la croissance de nanofils de SiGe et modélisons son action.Dans un deuxième temps, nous étudions la croissance de nanofils SiGe catalysée par siliciures compatibles CMOS, et la croissance de nanofils de Ge pur à basse température. Nous nous intéressons également à l’élaboration d’hétérostructures.Enfin, nous étudions le module de Young de NF unique de Si, GaN et ZnO par AFM et une nouvelle méthode de génération de potentiel piézoélectrique sur NF de GaN a été développée.