Utilisation du FIB pour la nanostructuration et l'auto-assemblage de réseaux de nano-objets pour des applications microélectroniques

• Auteur / Autrice : Guillaume Amiard
• Direction : Nicolas Cavassilas, Isabelle Berbezier
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Mécanique, Physique, Micro et Nanoélectronique
• Date : Soutenance le 07/12/2012
• Etablissement(s) : Aix-Marseille
• Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale Sciences pour l'Ingénieur : Mécanique, Physique, Micro et Nanoélectronique (Marseille)
• Jury : Président / Présidente : Patricia Donnadieu
• Jury : Examinateurs / Examinatrices : Luc Favre
• Jury : Rapporteur / Rapporteuse : David Grosso, Abdelillah El Hdiy

Mots clés

Mots clés contrôlés

Microélectronique

Germanium

Silicium

Bombardement ionique

Mots clés libres

FIB

Auto-organisation

Silicium

Germanium

SiO2

Microelectronique

FIB

Self-organisation

Silicon

Germanium

SiO2

Microelectronics

Résumé

Les travaux présentés dans ce manuscrit, sont basés sur l'étude de l'auto-organisation de la matière à l'échelle nanométrique. A cette échelle, les énergies de surfaces jouent un rôle prépondérant dans cette organisation. Pour comprendre au mieux ses mécanismes nous avons étudié plusieurs types de structures à base de Silicium et de Germanium. Nous avons expérimentalement étudié la croissance cristalline ou amorphe sur différents types de substrats (amorphe : SiO2 et cristallins Si ou SOI). Certain de ces substrats furent nano-structurés en utilisant un faisceau d'ions focalisés de type Gallium ou Or-Silicium. De plus nous avons pu utiliser des surfaces différentes telle que le TiO2 ou le Silicium poreux, afin d'étudier l'organisation de la matière sur des pores de petites tailles (inférieurs à 50nm).

The following works are base on the study of self assembly structures at the nanometric scale. At this scale the surface energy have a major impact in this organization. For a better understanding of this mechanism we studied different Silicon-Germanium base structures. We experimentally studied the crystalline or amorphous growth on different types of substrates (amorphous: SiO2, crystalline: Si or SOI). Some of these substrates were nano-structured using a focused ion beam using gallium source or gold-silicon source. In addition, we were able to use different surfaces such as TiO2 or porous silicon to study the organization of the material small size pore(less than 50nm).