Test et Fiabilité des Mémoires SRAM
Auteur / Autrice : | Renan Alves Fonseca |
Direction : | Serge Pravossoudovitch |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | SYAM - Systèmes Automatiques et Microélectroniques |
Date : | Soutenance le 21/07/2011 |
Etablissement(s) : | Montpellier 2 |
Ecole(s) doctorale(s) : | Information, Structures, Systèmes (Montpellier ; École Doctorale ; 2009-2014) |
Partenaire(s) de recherche : | Laboratoire : Laboratoire d'Informatique, Robotique et Micro-électronique de Montpellier |
Jury : | Examinateurs / Examinatrices : Serge Pravossoudovitch, Patrick Girard, Luigi Dilillo, Jean-christophe Vial |
Rapporteurs / Rapporteuses : Paolo Prinetto, Sandip Kundu |
Mots clés
Mots clés contrôlés
Résumé
Aujourd'hui, les mémoires SRAM sont faites avec les technologies les plus rapides et sont parmi les éléments les plus importants dans les systèmes complexes. Les cellules SRAM sont souvent conçues en utilisant les dimensions minimales du nœud technologique. En conséquence, les SRAM sont plus sensibles à de nouveaux phénomènes physiques qui se produisent dans ces technologies, et sont donc extrêmement vulnérables aux défauts physiques. Afin de détecter si chaque composant est défectueux ou non, des procédures de test de haut coût sont employées. Différentes questions liées à cette procédure de test sont compilées dans ce document. Un des principaux apports de cette thèse est d'établir une méthode pour définir les conditions environnementales lors de la procédure de test afin de capter des défauts non-déterministe. Puisque des simulations statistiques sont souvent utilisées pour étudier des défauts non-déterministes, une méthode de simulation statistique efficace a été spécialement conçue pour la cellule SRAM. Dans cette thèse, nous traitons aussi la caractérisation de fautes, la caractérisation de la variabilité et la tolérance aux fautes.