Auteur / Autrice : | Guillaume Mouginot |
Direction : | Raymond Quéré, Raphaël Sommet |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Electronique des Hautes Fréquences, Photonique et systèmes |
Date : | Soutenance en 2011 |
Etablissement(s) : | Limoges |
Partenaire(s) de recherche : | autre partenaire : Université de Limoges. Faculté des sciences et techniques |
Résumé
Aujourd’hui, la conception de circuits intégrés de puissance hautes fréquences large bande est devenue un enjeu majeur pour les systèmes modernes de défense. Nous proposons dans ce manuscrit une étude du transistor HEMT GaN afin de mettre en évidence son intérêt pour ces applications. Une conception d’amplificateur de puissance large bande 6-18 GHz sur substrat SiC est présentée, démontrant les potentialités de la filière GH25 d’UMS. Malheureusement, pour ces applications hautes fréquences, une étude démontre que le transistor HEMT AlGaN/GaN est limité par deux phénomènes : les effets thermiques et les effets de pièges. Ainsi, un modèle non-linéaire électrothermique incluant les effets de pièges d’un transistor HEMT 8x75 μm est présenté. Les caractérisations effectuées mettent en lumière les limitations des techniques actuelles de modélisation des pièges et nous permettront d’ouvrir de nouvelles perspectives dans ce domaine.