Thèse soutenue

Développement de briques technologiques pour la réalisation de diodes schottky sur nitrure de gallium
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Auteur / Autrice : Olivier Menard
Direction : Daniel Alquier
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Electronique
Date : Soutenance le 25/11/2010
Etablissement(s) : Tours
Ecole(s) doctorale(s) : Ecole doctorale Santé, sciences, technologies (Tours)
Partenaire(s) de recherche : Equipe de recherche : Laboratoire de microélectronique de puissance (Tours)
Laboratoire : École polytechnique universitaire (Tours)
Jury : Président / Présidente : Christian Brylinski
Examinateurs / Examinatrices : Frédéric Cayrel, Emmanuel Collard, Dominique Planson, Fabrizio Roccaforte
Rapporteurs / Rapporteuses : Yvon Cordier, Frédéric Morancho

Résumé

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Ce travail de thèse porte sur la réalisation d’une diode Schottky de puissance sur GaN épitaxié sur substrat saphir.La majeure partie du travail a été consacrée au développement du contact ohmique. Différentes conditions de fabrication ont été étudiées autour d’un contact basé sur l’empilement titane-aluminium. De bonnes résistances spécifiques de contact ont été obtenues sur du GaN de type n+ dopé in-situ (autour de 1x10-5 Ω.cm-2) ainsi que sur du matériau implanté silicium et sur des couches dopées in-situ mises à jour après gravure sèche. Nous avons également étudié le contact Schottky, au travers d’une structure simple : « Schottky To Schottky ».Les résultats issus de ces études sur les contacts nous ont permis de réaliser des diodes Schottky latérales et pseudo-verticales. Des hauteurs de barrière de plus de 1eV et des facteurs d’idéalité de 1,05 ont pu être mesurés sur les diodes pseudo-verticales avec, pour certaines, une tension de claquage de 600V.