Auteur / Autrice : | Souheil Mouetsi |
Direction : | Abdelillah El Hdiy, Mohamed Bouchemat |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Physique |
Date : | Soutenance en 2010 |
Etablissement(s) : | Reims en cotutelle avec Université Mentouri-Constantine |
Mots clés
Mots clés contrôlés
Résumé
Le travail présenté dans ce mémoire a pour objet la caractérisation d’un gaz bidimensionnel d’électrons dans une hétérostructure AlGaAs/GaAs/AlGaAs par la méthode de bruit basse fréquence à des différentes tensions de polarisation et à différentes températures (4 - 300K). Plusieurs sources de bruit contribuant au spectre total de bruit (bruit thermique, bruit de génération - recombinaison (G-R) et bruit en 1/f) ont été identifiés. Grâce au bruit thermique, nous avons montré qu’il est possible d’accéder aux résistances de contact. L’analyse du bruit de G-R a permis d’identifier des défauts sources de ce type de bruit. Pour ce faire, il a fallu déterminer les énergies d’activation thermiques et les sections efficaces de capture caractérisant ces défauts. L’étude du bruit en 1/f a été faite de deux manières ; d’abord l’application du modèle de Hooge a permis de montrer que ce bruit est causé essentiellement par la fluctuation de la mobilité du réseau. Puis, l’application du modèle modifié de Handel a permis de renforcer la proposition de la fluctuation de la mobilité