Développement et validation d’un banc de caractérisation de transistors de puissance en mode temporel impulsionnel

par Jad Faraj

Thèse de doctorat en Électronique des hautes fréquences, photonique et systèmes

Sous la direction de Jean-Pierre Teyssier.

Soutenue en 2010

à Limoges , en partenariat avec Université de Limoges. Faculté des sciences et techniques (autre partenaire) .


  • Résumé

    Ces travaux traitent de la mesure de formes d’ondes temporelles en mode continu et en impulsions, avec comme application la caractérisation des transistors de puissance aux fréquences micro-ondes. Un banc de mesure a été développé autour du Nonlinear Vector Network Analyzer. La validation d’une méthode d’étalonnage absolue a été effectuée, l’originalité étant l’absence d’étalon de phase. Dans un deuxième temps, ce banc a été étendu par l’ajout de modes d’impulsions conservant toute la dynamique de mesure, même pour des rapports cycliques pouvant aller jusqu’à 0,01%. Des mesures de trains d’impulsions et des profils d’impulsions ont aussi été rendu possibles. Dans une dernière partie, l’intérêt de mesurer les formes d’ondes temporelles des transistors de puissance est démontré à l’aide d’exemples mettant en lumière les capacités du banc à supporter de très fortes puissances RF en mode d’impulsion, notamment pour des transistors HEMT AlGaN/GaN. Ce banc s’est aussi avéré très efficace pour séparer les effets de pièges des effets thermiques de différentes manières.

  • Titre traduit

    Development and validation of transistors RF characterization bench in the time domain and with the pulses modes


  • Résumé

    This work deals with time domain characterization of microwave power transistors, in continuous and pulsed modes. A setup has been created with a Non Linear Network Analyser. An absolute calibration method has been verified, this method does not require a phase standart. Then our setup has been improved with pulsed modes, without dynamical losses, even for high duty cycles up to 0. 01%. Burst of pulses and pulse profiling measurements are made possible. In the last part, we perform time domain waveform measurements of high power transistors showing the high power handling capability of this bench, especialy for AlGaN/GaN HEMT. This bench has proven its is efficiency for separate trapping and thermal effects characterization with several approaches.

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Informations

  • Détails : 1 vol. (175 p.)
  • Annexes : Bibliogr. p. 164-170

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