Thèse soutenue

Integration du siliciure de nickel pour les technologies cmos decananométriques : 65nm et en deça

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Auteur / Autrice : Benoît Froment
Direction : Roland Herino
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Micro et nanoélectronique
Date : Soutenance en 2010
Etablissement(s) : Grenoble INPG

Mots clés

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Mots clés libres

Résumé

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Le siliciure de nickel pur ou allié avec du platine est maintenant utilisé comme contacts dans les technologies CMOS car il nécessite un plus faible budget thermique, possède une plus faible résistivité, consomme moins de silicium, a une formation contrôlée par la diffusion et permet d'obtenir une phase peu résistive sur SiGe, contrairement à son prédécesseur le siliciure de cobalt. Malgré ces avantages, un certains nombre de problèmes restaient ou restent liés à son intégration dans des dimensions décananométriques. Au-delà d'une meilleure connaissance du comportement en température et des propriétés du siliciure de nickel en couches très minces, l'objectif de cette thèse est d'améliorer notre connaissance du NiSi, pour l'intégrer sur le nœud technologique 65nm et en deçà, et de caractériser et d'éventuellement résoudre tous les défis relatifs à l'intégration de ce nouveau matériau dans un environnement toujours plus dense. L'ensemble des résultats et des caractérisations réalisées ont permis en particulier de proposer un scénario de formation de l'intrusion du siliciure dans le canal.