Thèse soutenue

Etude des propriétés de transport atomique dans le dioxyde d'uranium par le calcul de structure électronique : influence des fortes corrélations

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Auteur / Autrice : Boris Dorado
Direction : Mireille Defranceschi
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Sciences des matériaux, physique, chimie et nanosciences
Date : Soutenance le 15/09/2010
Etablissement(s) : Aix-Marseille 2
Ecole(s) doctorale(s) : École Doctorale Physique et Sciences de la Matière (Marseille)
Jury : Président / Présidente : Guy Tréglia
Examinateurs / Examinatrices : Mireille Defranceschi, Guy Tréglia, François Jollet, Laurent Pizzagalli, Robin Grimes, Michel Freyss
Rapporteur / Rapporteuse : François Jollet, Laurent Pizzagalli

Résumé

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Le dioxyde d'uranium UO2 est le combustible nucléaire standard des réacteurs à eau pressurisée. Durant le fonctionnement du réacteur, la fission de l'uranium produit une grande variété de produits de fission (PF) dont le ralentissement dans la matrice crée un nombre important de défauts ponctuels. Les défauts ponctuels et les PF gouvernent en retour l'évolution des propriétés physiques du combustible sous irradiation. Dans cette étude,nous utilisons les calculs de structure électronique afin de mieux comprendre le comportement sous irradiation du combustible UO2. Nous nous intéressons en particulier au comportement des défauts ponctuels ainsi qu'à la stabilité de trois PF volatils : iode, krypton et xénon. Afin de rendre compte des fortes corrélations électroniques des électrons 5f de l'uranium dans UO2, nous utilisons l'approximation DFT+U, basée sur la théorie de la fonctionnelle de la densité. Cependant, cette approximation crée un nombre important d'états métastables dans lesquels les systèmes peuvent rester piégés et qui sont à l'origine des dispersions observées dans la littérature.Pour résoudre ces problèmes, nous utilisons une méthode basée sur le contrôle des occupations électroniques des orbitales corrélées afin de systématiquement approcher le plus possible l'état fondamental des systèmes étudiés.Nous montrons que l'approximation DFT+U, utilisée en contrôlant les occupations électroniques, permet d'une part de décrire précisément le comportement des défauts ponctuels et des PF dans UO2, d'autre part de fournir des informations quantitatives quant aux propriétés de transport des défauts ponctuels dans le combustible oxyde.