Développement et étude de transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGeC de type pnp sur substrats SOI minces

Development and study of thin-SOI pnp Si/SiGeC heterojunction bipolar transistors

• Auteur / Autrice : Julien Duvernay
• Direction : Jean-Claude Portal, Alain Chantre
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Matériaux, technologie et composants de l'électronique
• Date : Soutenance en 2008
• Etablissement(s) : Toulouse, INSA

Mots clés

Mots clés contrôlés

Épitaxie

Transistors bipolaires

Mots clés libres

Hétérojonction

Barrière parasite

épitaxie sélective

Résumé

Récemment, les transistors bipolaires de type pnp sur silicium ont connu un regain d’intérêt avec le développement des technologies BiCMOS complémentaires. De plus, en utilisant un substrat SOI mince au lieu d’un substrat massif, les caractéristiques des transistors MOS et des composants passifs s’en trouvent améliorées. Le travail effectué durant cette thèse a pour objet la mise au point et l’étude de transistors bipolaires à hétérojonctions Si/SiGeC de type pnp sur SOI mince performants, en vue de leur intégration dans une technologie BiCMOS SiGe complémentaire sur SOI mince

Recently, Si pnp bipolar transistors have known an increasingly interest with the development of complementary BiCMOS technologies. Furthermore, by using a thin-SOI substrate instead of a bulk substrate, MOS transistor and passive devices performances are improved. The work performed during this thesis aims at developing and studying pnp Si/SiGeC heterojunction bipolar transistors on thin-SOI to integrate them into a thin-SOI complementary SiGe BiCMOS technology