Interface silicium/couche organique : Maîtrise des propriétés et fonctionnalisation

Organic layers grafted on silicon : properties and functionalization

• Auteur / Autrice : Damien Aureau
• Direction : Jean-Noël Chazalviel
• Type : Thèse de doctorat
• Discipline(s) : Physique
• Date : Soutenance en 2008
• Etablissement(s) : Palaiseau, Ecole polytechnique

Mots clés

Mots clés contrôlés

Titrimétrie

Spectroscopie infrarouge à transformée de Fourier

Hydrosilylation

Silicium

Résumé

Les couches organiques greffées de façon covalente sur le silicium apparaissent comme des systèmes prometteurs tant sur le plan fondamental qu’en raison des nombreuses applications envisageables : couches minces diélectriques, capteurs chimiques ou biochimiques. Ce travail de thèse est consacré à l’étude de ces systèmes par diverses techniques. La stabilité chimique et électrique de l’interface au cours du temps et au sein d’un électrolyte de pH variable sont décrites. La morphologie de la surface est contrôlée par microscopie AFM. La nature chimique du système est déterminée par spectroscopie infrarouge en mode ATR et par spectroscopie de photoélectrons X. La qualité électrique de l’interface est étudiée par des mesures de photoluminescence, photopotentiel et Mott-Schottky. L’influence de la préparation sur les diverses caractéristiques du système est examinée. L’effet de charges adsorbées en surface a également été exploré par une titration quantitative de l’ionisation de groupements carboxyles greffés en surface. Enfin, une méthode originale de fonctionnalisation de couches alkyles greffées de compacité maximum par traitement dans un plasma doux oxydant est présentée. Le suivi du système, in situ par spectroscopie IR et ex situ par XPS, ainsi que la connaissance de la nature du plasma d’oxygène ont permis de mettre en évidence une destruction de la couche aux plus fortes puissances et une intégrité de celle-ci aux plus faibles puissances : un mécanisme de fonctionnalisation des chaînes dans ce régime est proposé.