Thèse soutenue

Etude de la dégradation par porteurs chauds des technologies CMOS avancées en fonctionnement statique et dynamique
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Auteur / Autrice : Chloé Guérin
Direction : Alain Bravaix
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Micro et nano-électronique
Date : Soutenance en 2008
Etablissement(s) : Aix-Marseille 1
Partenaire(s) de recherche : autre partenaire : Université de Provence. Section sciences

Mots clés

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Mots clés contrôlés

Résumé

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La miniaturisation des dernières technologies s’est effectuée à tension d’alimentation quasi constante. Cela se traduit par une augmentation du champ latéral du transistor MOSFET. Un risque important réapparaît en terme de fiabilité : la dégradation par porteurs chauds (HC). Pour garantir le meilleur compromis entre fiabilité et performance, il est important de comprendre toutes les causes physiques de la dégradation par porteurs chauds. Grâce à une étude menée pour des conditions de polarisation et de température variées, sur différentes épaisseurs d’oxyde et longueurs de canal, nous avons mis en place un formalisme physique s’appuyant à la fois sur l’énergie et le nombre de porteurs. Cette double dépendance se traduit par une compétition entre trois modes de dégradations, dominant chacun à leur tour en fonction de la gamme d’énergie des porteurs. A forte énergie, la dégradation s’explique par l’interaction d’un seul porteur avec une liaison Si-H (mode 1). Mais quand l’énergie des porteurs diminue, leur nombre est prépondérant tout d’abord pour l’interaction entre porteurs EES (mode 2) et surtout à très basse énergie, où nous avons montré que la dégradation peut être importante à cause d’interactions multiples entre les « porteurs froids » du canal et les liaisons d’interface (mode 3). On parle alors d’excitation multivibrationnelle des liaisons. Ce nouveau modèle assure une meilleure extrapolation de la durée de vie dans les conditions nominales. Appliqué à la dégradation sous signaux digitaux, il permet une estimation rigoureuse du rapport entre les dégradations en courant alternatif et continu (AC-DC) ainsi que l’élaboration de nouvelles consignes concernant les effets de fréquence, de charge et de temps de montée des signaux. Enfin, intégré au simulateur de Design-in Reliability, il autorise une simulation précise de la dégradation par porteurs chauds de blocs de circuits