TY  - THES
DP  - http://www.theses.fr/2007REN1S159
TI  - Procédé de fabrication à T<200°C de transistors en couches minces de silicium microcristallin déposé par PECVD en mélange SiH₄-H₂-Ar. 
AU  - Kandoussi, Khalid
A3  - Mohammed-Brahim, Tayeb
PY  - 2007
SP  - 1 vol. (154 p.)
N1  - Thèse de doctorat Électronique Rennes 1 2007
N1  - 2007REN1S159
ER  -