Thèse soutenue

Utilisation de silicium déposé microcristallin par PECVD et re-cristallisé par laser excimère dans la fabrication de transistors en couches minces à T<200°C

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Auteur / Autrice : Tanguy Pier
Direction : Tayeb Mohammed-Brahim
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Électronique
Date : Soutenance en 2007
Etablissement(s) : Rennes 1

Mots clés

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Mots clés contrôlés

Résumé

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L’objet de ce travail de thèse est la mise au point d’une technologie capable de produire des transistors en couches minces performants à partir de silicium à une température inférieure à 200°C compatible avec l’usage de substrats plastiques. Il repose sur le recours au recuit par laser excimère qui permet de re-cristalliser à posteriori des couches de silicium microcristallin déposées à une température de 165°C. La première partie de ces travaux consiste en l’établissement de la technique de re-cristallisation sur substrat de verre. L’application du recuit par paliers d’énergie progressifs permet d’aboutir à une couche très cristallisée faite de grains de grande taille et non-endommagée. Des grains de grande taille, 300 nm, ainsi qu’un taux de cristallinité de 89%, sont obtenus. Les transistors produits à partir de telles couches ont pu démontrer une mobilité d’effet de champ de 400 cm2/V. S pour les électrons. La partie suivante envisage le report sur substrats plastiques de la technique éprouvée sur verre. Le premier substrat testé est le PDMS. Des couches d’une cristallinité de 80% avec des grains atteignant 400 nm sont produites. Les transistors fabriqués à partir de ces couches montrent une mobilité électronique de 65 cm2/V. S. Le second substrat testé est le PEN. Le recours à une technique similaire permet là aussi l’obtention de couches très cristallisées, à 84%, porteuses de gros grains, 400 nm. Il est possible de réaliser des transistors d’une mobilité électrique de 47 cm2/V. S sur ce dernier substrat.