Etude des propriétés électroniques des états de Shockley dans les surfaces nanostructurées auto-organisées
Auteur / Autrice : | Clément Didiot |
Direction : | Bertrand Kierren, Daniel Malterre |
Type : | Thèse de doctorat |
Discipline(s) : | Physique |
Date : | Soutenance le 29/10/2007 |
Etablissement(s) : | Nancy 1 |
Ecole(s) doctorale(s) : | EMMA |
Partenaire(s) de recherche : | Laboratoire : Laboratoire de Physique des Matériaux |
Jury : | Examinateurs / Examinatrices : Philipp Aebi, Sébastien Gautier, Bruno Grandidier, Bertrand Kierren, Daniel Malterre, Williams Sachs |
Rapporteurs / Rapporteuses : Philipp Aebi, Sébastien Gautier |
Mots clés
Mots clés contrôlés
Résumé
Nous présentons ici l’investigation des propriétés électroniques, par photoémission et spectroscopie à effet tunnel, des états de Shockley présents dans des systèmes nanostructurés. Après de précédents travaux montrant le confinement électronique induit par le potentiel périodique associé au réseau de marches des faces vicinales Au(788) et Au(23 23 21), nous montrons ici les effets spectroscopiques induits par la reconstruction de surface sur ces états électroniques. Malgré la faible amplitude du potentiel électronique de la reconstruction, nous avons réussi à mettre en évidence la diffraction de Bragg associée à la super-périodicité du potentiel, conduisant notamment à l’ouverture de plusieurs gaps ainsi qu’à une modulation de la densité électronique. Nous proposons de plus une méthode originale pour déduire le potentiel électronique de la surface à partir des données expérimentales. Nous montrons également que nous pouvons produire des réseaux bidimensionnels de nanostructures métalliques en exploitant les sites de nucléation préférentiels naturellement présents sur ces faces vicinales reconstruites. L’étude de la croissance d’Ag à basse température a ainsi permis d’obtenir un réseau de nanostructures très bien ordonnée à grande échelle et présentant une distribution de taille d’îlots très piquée. Par le contrôle des dimensions caractéristiques du réseau de plots et le choix de la nature chimique des nanostructures, nous montrons qu’en plus de structurer à l’échelle nanométrique la densité électronique de la surface de manière homogène sur l’ensemble de l’échantillon, nous pouvons ajuster l’énergie des maxima de densité d’états au voisinage du niveau de Fermi.