Thèse soutenue

Modélisation analytique du transport balistique et quasi-balistique dans les MOSFETs avancés
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Auteur / Autrice : Marlène Ferrier
Direction : Gérard GhibaudoRaphaël Clerc
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Micro et nanoélectronique
Date : Soutenance en 2007
Etablissement(s) : Grenoble INPG

Résumé

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Avec l'intégration de nouvelles architectures de transistors non dopées et de longueurs de grille extrêmement courtes, l'émergence d'un transport balistique des porteurs dans les prochaines générations de dispositifs MOS est de plus en plus probable. On attend de tels composants des niveaux de courants plus élevés que ne le prévoient les modèles conventionnels. Ce manuscrit se propose de présenter de manière didactique la physique et la modélisation du transport balistique et quasibalistique dans les transistors nMOSFETs avancés. En outre, l'impact des paramètres technologiques conventionnels sur l'optimisation de la vitesse d'injection, paramètre clef du transport balistique, a été discuté. D'autre part, des modèles analytiques originaux pour prendre en compte l'ingénierie des sous bandes sur le transport balistique ont également été développés pour les architectures bulk, SOI et double grille, remplaçant avantageusement les simulations de type Poisson Schrôdinger. Enfin, une nouvelle approche pour l'extraction de la balisticité a été proposée et mise en œuvre sur des transistors réalisés en technologie SOI complètement désertés.