Thèse soutenue

Étude et développement de composants thermoélectriques à base de couches minces

FR  |  
EN
Auteur / Autrice : Guillaume Savelli
Direction : Jean-Marc Fournier
Type : Thèse de doctorat
Discipline(s) : Génie électrique
Date : Soutenance en 2007
Etablissement(s) : Université Joseph Fourier (Grenoble ; 1971-2015)
Ecole(s) doctorale(s) : École doctorale électronique, électrotechnique, automatique, traitement du signal (Grenoble ; 199.-....)
Partenaire(s) de recherche : Laboratoire : Laboratoire de génie électrique (Grenoble) - Laboratoire d'innovation pour les technologies des énergies nouvelles et les nanomatériaux (Grenoble)
Jury : Examinateurs / Examinatrices : Sebastian Volz, James Roudet, Marc Plissonnier
Rapporteurs / Rapporteuses : Jean-Paul Issi, Stefan Dilhaire

Résumé

FR  |  
EN

La thermoélectricité est une science remise au goût du jour depuis quelques années en tant que source de récupération d’énergie. Dans cette optique, l’étude et la conception de dispositifs thermoélectriques à base de films minces se justifient parfaitement : en effet, les faibles dimensions de ces modules, de l’ordre du cm2, permettent leur intégration et leur utilisation dans des domaines nombreux et variés, tels l’industrie automobile, l’environnement du corps humain, l’alimentation de capteurs sans fil… Ainsi, ces travaux ont permis la réalisation et la caractérisation de plusieurs modules, composés de matériaux de différente nature, et de diverses géométries. Pour cela, le développement des procédés de calibration de couches minces, à la fois de matériaux semimétalliques, en bismuth et antimoine, mais aussi de matériaux semiconducteurs, en silicium et silicium-germanium, a été étudié et optimisé. De plus, l’utilisation de matériaux nanostructurés permet une amélioration des performances thermoélectriques via notamment une diminution de la conductivité thermique. Dans ce cadre, une étude théorique sur les transports électriques et thermiques dans les nanostructures, complémentée de mesures expérimentales sur des superréseaux Si/SiGe, ont permis de valider ces propos et de justifier leur intégration au sein de dispositifs thermoélectriques.